厚膜與薄膜技術

相(xiang)對于三維塊體(ti)材料，所謂(wei)膜(mo)(mo)，因其厚度及(ji)尺寸比較(jiao)小，一般來(lai)說可以看做(zuo)是物(wu)質的二維形態。利用軋制(zhi)、捶打、碾(nian)壓等(deng)制(zhi)作(zuo)方法(fa)的為厚膜(mo)(mo)，厚膜(mo)(mo)（自立膜(mo)(mo)）不需要基體(ti)、可獨立成(cheng)立；由膜(mo)(mo)的構成(cheng)物(wu)堆積而成(cheng)的為薄膜(mo)(mo)，薄膜(mo)(mo)（包覆(fu)膜(mo)(mo)）只(zhi)能依(yi)附在基體(ti)之(zhi)上。

膜的主要功能(neng)分(fen)為(wei)三種：電(dian)氣(qi)連接、元件(jian)搭載、表面(mian)改性。

①電氣連接

電路板及(ji)膜(mo)與基(ji)板互為一體(ti)，元器件搭載(zai)在基(ji)板上(shang)達到與導體(ti)端(duan)子(zi)相互連接(jie)。

②元件搭載

不論采(cai)用引線鍵合還是倒裝(zhuang)片(pian)方式，芯片(pian)裝(zhuang)載在(zai)封裝(zhuang)基板(ban)上需(xu)要焊(han)接(jie)盤(pan)。而元(yuan)器件搭(da)載在(zai)基板(ban)上，不論采(cai)用DIP還是SMT方式都依(yi)賴導(dao)體端子，其中(zhong)焊(han)接(jie)盤(pan)和(he)導(dao)體端子都是膜電路重要的部分。

③表面改性

通過膜(mo)的(de)使(shi)用可以使(shi)材料在(zai)某些(xie)性(xing)能上(shang)得到改(gai)性(xing)，如(ru)增加材料的(de)耐(nai)磨(mo)性(xing)、抗腐蝕性(xing)、耐(nai)高溫性(xing)等等。

薄膜技術介紹

一、薄膜材料

1.導(dao)體(ti)薄膜(mo)主要用于(yu)形成電(dian)路(lu)圖形，為半導(dao)體(ti)芯片、元(yuan)件、電(dian)阻、電(dian)容等(deng)電(dian)路(lu)搭載(zai)部件提(ti)供金屬化(hua)及相互引(yin)線。值得注意的是，成膜(mo)后造成膜(mo)異常的原(yuan)(yuan)因包括：嚴重的熱適(shi)配(pei)導(dao)致(zhi)應力過剩，膜(mo)層的剝離導(dao)致(zhi)電(dian)路(lu)斷線；物質物理性質的原(yuan)(yuan)因，如熱擴(kuo)散、電(dian)遷(qian)移、反應擴(kuo)散等(deng)。

2.介質(zhi)薄膜因其優良的電學(xue)(xue)性、機(ji)械(xie)電性及光(guang)學(xue)(xue)電性在電子(zi)元器(qi)(qi)件、光(guang)學(xue)(xue)器(qi)(qi)件、機(ji)械(xie)器(qi)(qi)件等(deng)領域(yu)具有(you)較大(da)應用。其成膜方(fang)法有(you)MO、CVD、射頻磁控濺射、粒子(zi)束(shu)濺射等(deng)。

3.電(dian)阻薄膜常用的制作方法有(you)真空蒸(zheng)鍍、濺射鍍膜、電(dian)鍍、熱分解(jie)等(deng)。

4.功能薄膜(mo)在傳感(gan)器(qi)、太陽(yang)能電池(chi)、光集成電路、顯(xian)示器(qi)、電子元器(qi)件(jian)等領域具有(you)廣泛的應用。

二、成膜方法

1.干(gan)膜。真(zhen)空(kong)蒸鍍原(yuan)(yuan)(yuan)理為鍍料(liao)在(zai)真(zhen)空(kong)中加熱、蒸發，蒸汽析出的(de)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)及原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)團在(zai)基(ji)板上(shang)形(xing)成薄(bo)膜；濺射鍍膜原(yuan)(yuan)(yuan)理為將放電氣體導入(ru)真(zhen)空(kong)，通過(guo)離子(zi)(zi)體中產生的(de)正離子(zi)(zi)的(de)加速轟(hong)擊，使(shi)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)沉(chen)積在(zai)基(ji)板上(shang)；CVD指氣態原(yuan)(yuan)(yuan)料(liao)在(zai)化學反應下形(xing)成固體薄(bo)膜在(zai)基(ji)板上(shang)形(xing)成沉(chen)積的(de)過(guo)程。

2.濕(shi)膜(mo)(mo)。依據電場反應(ying)，金屬(shu)可在金屬(shu)鹽溶液中析出成(cheng)(cheng)膜(mo)(mo)。其中，電鍍的(de)(de)還原能(neng)量(liang)由外部電源提供(gong)；化(hua)學鍍利用添加(jia)還原劑的(de)(de)方法，促(cu)成(cheng)(cheng)分解成(cheng)(cheng)膜(mo)(mo)。濕(shi)膜(mo)(mo)的(de)(de)優點在于投(tou)資低、可依據基板材料大(da)規模大(da)批量(liang)成(cheng)(cheng)膜(mo)(mo)，但缺點在于成(cheng)(cheng)膜(mo)(mo)過程中對(dui)環境純凈度(du)具有較高的(de)(de)要(yao)求，雜(za)質(zhi)較多的(de)(de)環境對(dui)成(cheng)(cheng)膜(mo)(mo)的(de)(de)質(zhi)量(liang)有很大(da)的(de)(de)影響。

三、電路圖形的成型方法

1.填(tian)平法。將(jiang)光刻(ke)(ke)膠(jiao)涂敷或將(jiang)光刻(ke)(ke)膠(jiao)干膜(mo)貼(tie)附(fu)在(zai)基板表面，形成(cheng)“負(fu)”的圖形，在(zai)槽中沉積金(jin)屬膜(mo)層，將(jiang)其填(tian)平，最后(hou)將(jiang)殘(can)留的光刻(ke)(ke)膠(jiao)剝(bo)離(li)。其中，正膠(jiao)在(zai)曝(pu)光后(hou)可溶，但負(fu)膠(jiao)在(zai)曝(pu)光后(hou)不(bu)可溶。填(tian)平法具(ju)有容易混入氣泡的缺點(dian)。

2.蝕(shi)刻(ke)(ke)法包括化學(xue)蝕(shi)刻(ke)(ke)和薄膜(mo)光刻(ke)(ke)兩(liang)種方法。濕法蝕(shi)刻(ke)(ke)是指在基板(ban)表面(mian)覆上印(yin)刷電路(lu)所需(xu)的(de)漿(jiang)料，經燒成后，涂膠，掩膜(mo)曝光，去除光刻(ke)(ke)膠，最后通過有機溶劑去掉不需(xu)要的(de)電極材(cai)料；干(gan)法蝕(shi)刻(ke)(ke)利用磁控(kong)濺射、真空蒸鍍在基板(ban)表面(mian)形成薄膜(mo)，在光刻(ke)(ke)下制(zhi)成電路(lu)圖型，干(gan)法的(de)膜(mo)厚精(jing)確可(ke)控(kong)制(zhi)、圖形精(jing)細度(du)(du)高，但(dan)是工藝難(nan)度(du)(du)大、設備投(tou)資(zi)較(jiao)大。

3.掩膜(mo)(mo)法(fa)。利用機械或光刻的方法(fa)制(zhi)成“正”掩膜(mo)(mo)，并加以定位(wei)，再由真空蒸鍍方法(fa)成膜(mo)(mo)，在基(ji)板表面形成所需的電(dian)路圖形。掩膜(mo)(mo)法(fa)的圖形精度較(jiao)高(gao)、工藝程(cheng)序少，但需要預先制(zhi)作掩膜(mo)(mo)。

4.噴砂(sha)法。在基板的(de)整個表(biao)面形(xing)成膜，并(bing)在基板表(biao)面形(xing)成光刻膠圖(tu)形(xing)，利(li)用噴砂(sha)去掉多余的(de)部分，經過剝離光刻膠后便(bian)能(neng)得到需要的(de)電路圖(tu)形(xing)，值得注意的(de)是，噴砂(sha)過程(cheng)中會產(chan)生灰塵(chen)。

厚膜技術介紹

一、基本原理

厚膜技術主要是(shi)指用(yong)絲網印刷的(de)方(fang)法將導體漿(jiang)料(liao)(liao)、電(dian)阻漿(jiang)料(liao)(liao)或介質漿(jiang)料(liao)(liao)等材(cai)(cai)料(liao)(liao)轉移(yi)到陶瓷(ci)基板上(shang)，這(zhe)些材(cai)(cai)料(liao)(liao)經過高溫燒成后(hou)，會(hui)在(zai)陶瓷(ci)電(dian)路(lu)板上(shang)形(xing)成粘附牢固的(de)膜。重復(fu)多(duo)(duo)次后(hou)，就會(hui)形(xing)成多(duo)(duo)層互連結構的(de)包(bao)含電(dian)阻或電(dian)容(rong)的(de)電(dian)路(lu)。

二、工藝流程

厚膜(mo)印(yin)刷的(de)流程大致分(fen)為：設計制作(zuo)菲林，出片打樣，制作(zuo)PS板(ban)，調(diao)油漆(qi)，上機印(yin)刷，磨光，裱紙(zhi)，粘(zhan)盒，檢驗，出貨。

三、厚膜漿料

厚膜漿料主要由功(gong)能相、粘(zhan)結相和載(zai)體三部分組(zu)成。

根據不同情況，功(gong)能(neng)(neng)相(xiang)(xiang)(xiang)的(de)材料也是有所區別(bie)的(de)：作為(wei)(wei)(wei)(wei)導(dao)體漿料，功(gong)能(neng)(neng)相(xiang)(xiang)(xiang)多(duo)為(wei)(wei)(wei)(wei)貴金屬或貴金屬混合物(wu)；作為(wei)(wei)(wei)(wei)電阻漿料，功(gong)能(neng)(neng)相(xiang)(xiang)(xiang)多(duo)為(wei)(wei)(wei)(wei)導(dao)電性金屬氧(yang)(yang)化物(wu)；作為(wei)(wei)(wei)(wei)介(jie)質，功(gong)能(neng)(neng)相(xiang)(xiang)(xiang)多(duo)為(wei)(wei)(wei)(wei)玻璃(li)或陶瓷。功(gong)能(neng)(neng)相(xiang)(xiang)(xiang)決定了成膜(mo)(mo)(mo)后的(de)電性能(neng)(neng)和(he)(he)機(ji)械性能(neng)(neng)，因此材料要求嚴格。粘(zhan)結(jie)相(xiang)(xiang)(xiang)多(duo)為(wei)(wei)(wei)(wei)玻璃(li)、金屬氧(yang)(yang)化物(wu)及玻璃(li)和(he)(he)金屬氧(yang)(yang)化物(wu)的(de)結(jie)合，顧名思義(yi)，粘(zhan)結(jie)相(xiang)(xiang)(xiang)的(de)作用就(jiu)是把燒結(jie)膜(mo)(mo)(mo)粘(zhan)結(jie)到基板上。不同于功(gong)能(neng)(neng)相(xiang)(xiang)(xiang)和(he)(he)粘(zhan)結(jie)相(xiang)(xiang)(xiang)的(de)粉末(mo)狀態(tai)，載體是液態(tai)、是聚合物(wu)在有機(ji)溶劑(ji)中的(de)溶液，其影(ying)響(xiang)著厚膜(mo)(mo)(mo)的(de)工藝(yi)特性，常作為(wei)(wei)(wei)(wei)印刷(shua)膜(mo)(mo)(mo)和(he)(he)干燥膜(mo)(mo)(mo)的(de)臨時粘(zhan)結(jie)劑(ji)。

四、絲印工藝

隨著電子電氣行業微型(xing)化發展(zhan)，要(yao)求厚膜電路組裝密(mi)度以及布線(xian)的密(mi)度不斷地提(ti)高，要(yao)求導(dao)體線(xian)條(tiao)更細(xi)，線(xian)間距更窄。

目(mu)前最常用(yong)的(de)工藝(yi)(yi)分為三(san)種(zhong)：1.采用(yong)高網(wang)孔率(lv)絲網(wang)。此(ci)工藝(yi)(yi)下線徑會更(geng)細、目(mu)數更(geng)高、絲網(wang)的(de)開口率(lv)更(geng)高、細線不易斷線等特點。2.光(guang)(guang)刻或(huo)光(guang)(guang)致成(cheng)圖(tu)(tu)技術。先燒結成(cheng)膜，再光(guang)(guang)刻成(cheng)圖(tu)(tu)工藝(yi)(yi)的(de)材料通常有有機金(jin)漿、薄印(yin)金(jin)及無(wu)(wu)玻璃導(dao)體等；先光(guang)(guang)刻后(hou)(hou)成(cheng)膜所(suo)采用(yong)的(de)漿料因其(qi)具(ju)有光(guang)(guang)敏性，可以在(zai)經過曝光(guang)(guang)、顯影后(hou)(hou)直接成(cheng)圖(tu)(tu)，省去(qu)了光(guang)(guang)刻膠步驟(zou)，且能夠(gou)提(ti)高導(dao)體線條的(de)精度(du)。3.微機控制(zhi)的(de)直接描繪(hui)技術。此(ci)技術主(zhu)要是在(zai)CAD上(shang)進行設計，然后(hou)(hou)直接在(zai)基板上(shang)描出厚(hou)膜圖(tu)(tu)形(xing)，無(wu)(wu)需制(zhi)版(ban)、制(zhi)網(wang)，且該工藝(yi)(yi)下布線的(de)線寬(kuan)和間距可以精確(que)控制(zhi)，適合(he)小批(pi)量和多品種(zhong)的(de)生產。

五、印后加工

1.攤平(ping)。印刷后，零(ling)件需要放(fang)置5-15分鐘左右。這樣可以使絲(si)網篩孔(kong)的痕跡消失；同時，印刷后的印刷膜粘(zhan)度仍然比較(jiao)(jiao)低，需要在攤平(ping)處(chu)理后達到較(jiao)(jiao)高(gao)的粘(zhan)度。

2.干(gan)燥(zao)(zao)處(chu)理。攤平后，零件需要在(zai)70～150℃的(de)溫度范圍下(xia)強制(zhi)干(gan)燥(zao)(zao)15分鐘左右。干(gan)燥(zao)(zao)處(chu)理對干(gan)燥(zao)(zao)設備、抽風(feng)系統、環境潔凈度、干(gan)燥(zao)(zao)速率控制(zhi)等具有較高的(de)要求。

3.燒(shao)制(zhi)。燒(shao)制(zhi)的(de)溫(wen)度在650-670℃之間，在燒(shao)制(zhi)過程(cheng)中要隨時調(diao)整爐溫(wen)，保持漿(jiang)料(liao)燒(shao)結的(de)溫(wen)度。

4.調整。通(tong)過向電路板噴砂或(huo)激(ji)光調整，對電阻值進行調整。

5.包(bao)封(feng)。大致的工藝(yi)完成(cheng)后要進行包(bao)封(feng)對內接元件進行保(bao)護(hu)。

厚膜技術的進化

隨(sui)著電(dian)子電(dian)氣行業微型化(hua)發展，要(yao)求厚膜電(dian)路組裝(zhuang)密度(du)以(yi)(yi)及(ji)布線(xian)的密度(du)不斷地提高，導體線(xian)條更(geng)細，線(xian)間(jian)距更(geng)窄。但由于絲網印刷的特性，一般無法實現小于50微米（2mil）的圖案，量(liang)產的實際水平多數在100um（4mil）以(yi)(yi)上。厚膜技術(shu)的高精度(du)化(hua)，如何(he)用厚膜技術(shu)實際50um（2mil）以(yi)(yi)下的超細布線(xian)，已成(cheng)為極為關鍵的工藝技術(shu)進(jin)化(hua)節點。

為(wei)實現(xian)更高(gao)的(de)精(jing)度，目(mu)前(qian)最常用的(de)工藝(yi)分為(wei)三種：

1.厚膜(mo)印(yin)刷工藝：采用高網(wang)孔率絲網(wang)。此(ci)工藝的線(xian)徑(jing)會更細(xi)(xi)、目數更高、絲網(wang)的開口(kou)率更高、細(xi)(xi)線(xian)不(bu)易斷線(xian)。

2.厚膜(mo)(mo)光(guang)刻(ke)工藝：通(tong)過光(guang)刻(ke)或光(guang)致成(cheng)圖技(ji)(ji)術(shu)。先燒結(jie)成(cheng)膜(mo)(mo)，再(zai)光(guang)刻(ke)成(cheng)圖工藝的材(cai)料通(tong)常有有機銀漿、薄(bo)印銀及無玻璃導(dao)體等；先光(guang)刻(ke)后成(cheng)膜(mo)(mo)所(suo)采用的漿料因其(qi)具有光(guang)敏性，可以在經(jing)過曝光(guang)、顯影后直接(jie)成(cheng)圖，省去了光(guang)刻(ke)膠步驟，且能夠提(ti)高導(dao)體線條(tiao)的精度。Thick Film Lithography就是此工藝，也是目前實際在規模化量(liang)產的高精度厚膜(mo)(mo)燒結(jie)工藝技(ji)(ji)術(shu)。

3.厚膜直(zhi)接描繪技術：此技術主要是(shi)在(zai)(zai)CAD上進行設計，然后(hou)直(zhi)接在(zai)(zai)基板上描出(chu)厚膜圖形，無需制(zhi)(zhi)版、制(zhi)(zhi)網，且該(gai)工(gong)藝下布線(xian)的(de)線(xian)寬和(he)間距可以精確控制(zhi)(zhi)，適合小批量和(he)多品種的(de)生產。

一、厚膜光刻技術

厚(hou)膜(mo)光刻技術(shu)(shu)是將光刻技術(shu)(shu)應用于傳統的厚(hou)膜(mo)工藝。與(yu)傳統的厚(hou)膜(mo)工藝相比，該(gai)技術(shu)(shu)使圖(tu)案能夠形成(cheng)更精細的分辨(bian)、更高精度和平整性，并且與(yu)薄膜(mo)相比，可以達到同樣的封(feng)裝(zhuang)密(mi)度水(shui)平。

厚膜光刻(ke)主要有感光性漿料法和厚膜蝕刻(ke)法。

1.感光性漿料法

感光性電極漿料主(zhu)要(yao)是由銀粉、感光性樹(shu)脂溶劑、粘合劑、分散(san)劑、穩定劑等按一定比例調和而(er)成。工藝步(bu)驟(zou)是：

①用印刷(shua)法將漿料整板均(jun)勻地涂在基板上，干燥；

②用紫外(wai)光進行曝光；

③用(yong)堿(jian)性水溶液顯影；

④干燥、燒結。

這種(zhong)工藝的特點是制作出(chu)的電(dian)極線質量好，線寬可做到小(xiao)于50um。是目(mu)前已知(zhi)的實現商業化應用的厚膜光刻技(ji)術工藝，也是村田用于生產LTCC器件及電(dian)感器小(xiao)型化的關鍵工藝。

▲ 感光(guang)性漿料法厚(hou)膜光(guang)刻(ke)

2.厚膜蝕刻法

這(zhe)種方法(fa)與薄膜法(fa)幾(ji)乎一樣，只是將(jiang)(jiang)鍍膜換成了印刷燒結。用(yong)印刷法(fa)整板(ban)印上(shang)銀漿(jiang)，燒結后涂上(shang)光(guang)刻(ke)膠，經過曝光(guang)、顯影，形(xing)成抗蝕(shi)(shi)圖，然(ran)后用(yong)一定濃度的硝(xiao)酸溶液將(jiang)(jiang)圖型外的材(cai)料(liao)腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)掉，最后去膠。由于銀漿(jiang)是在燒結后進行(xing)刻(ke)蝕(shi)(shi)的，因而(er)不存在圖形(xing)收(shou)縮問題，但整板(ban)燒結銀漿(jiang)，將(jiang)(jiang)產(chan)生應(ying)力；用(yong)濃硝(xiao)酸作腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)液，環境污染大(da)應(ying)考慮(lv)。

▲厚膜蝕刻法

二、厚膜光刻技術特點

1.技術優勢

①高精度及高解析度

②極高的一致性

③優(you)異的高溫性(xing)工作性(xing)能(neng)

④制程簡(jian)單(dan)流程短可控(kong)度高

⑤有極高(gao)的工藝(yi)靈活更適用于少量多品(pin)類市場

⑥工藝(yi)成本低，建設(she)投(tou)入(ru)小

2.需要優化

在厚(hou)膜光刻工(gong)藝中(zhong)對(dui)感光性漿料存在過度依賴，工(gong)藝能否實用(yong)化與相應材(cai)料的性能不可分割，材(cai)料的配套能力影響(xiang)應用(yong)產品的商用(yong)化進程。

厚膜技術(shu)與薄(bo)膜技術(shu)的對比

一、工藝比較

二、基板材料

陶(tao)(tao)瓷材(cai)料(liao)具(ju)有穩定性高(gao)，機(ji)械強度高(gao)，導熱性好(hao)，介電(dian)性好(hao)、絕緣性好(hao)，微(wei)波損耗低等特點，是極好(hao)的微(wei)波介質材(cai)料(liao)。薄膜(mo)及厚(hou)膜(mo)技術中可以使(shi)用的基(ji)板材(cai)料(liao)有氧化鋁、氮化鋁、氧化鈹、碳化硅、石(shi)英等陶(tao)(tao)瓷類基(ji)板。

三、應用領域

薄(bo)(bo)膜(mo)技術(shu)的光學(xue)(xue)、電(dian)學(xue)(xue)、磁(ci)(ci)學(xue)(xue)、化(hua)學(xue)(xue)、力學(xue)(xue)及(ji)熱學(xue)(xue)性質使其在(zai)反(fan)射涂層(ceng)(ceng)(ceng)、減反(fan)涂層(ceng)(ceng)(ceng)、光記(ji)錄(lu)介(jie)質、絕緣薄(bo)(bo)膜(mo)、半導體(ti)器件、壓電(dian)器件、磁(ci)(ci)記(ji)錄(lu)介(jie)質、擴散阻擋層(ceng)(ceng)(ceng)、防(fang)氧化(hua)、防(fang)腐蝕涂層(ceng)(ceng)(ceng)、傳(chuan)感(gan)器、顯微機械、光電(dian)器件熱沉等(deng)方面(mian)具有廣泛的應(ying)用，其中在(zai)光電(dian)子器件、薄(bo)(bo)膜(mo)敏感(gan)元(yuan)件、固態傳(chuan)感(gan)器、薄(bo)(bo)膜(mo)電(dian)阻、電(dian)膜(mo)、電(dian)容(rong)、混(hun)合集成電(dian)路、太陽能電(dian)池、平板(ban)顯示(shi)器、聲表面(mian)波(bo)濾波(bo)器、磁(ci)(ci)頭等(deng)的方面(mian)具有很大的應(ying)用。

厚膜技(ji)術因(yin)其高可(ke)靠性(xing)(xing)和高性(xing)(xing)能在(zai)汽車領(ling)域、消費電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子、通信工程、醫療設(she)備、航(hang)空航(hang)天中具(ju)有較多的應用(yong)，例(li)如(ru)：開關穩(wen)壓電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)源電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、視(shi)放電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、幀(zhen)輸出(chu)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓設(she)定電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)、高壓限(xian)制(zhi)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)，飛行器(qi)的通信、電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)視(shi)、雷達、遙感和遙測系(xi)(xi)統，發電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)機電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓調節器(qi)、電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)子點(dian)火器(qi)和燃油噴射(she)系(xi)(xi)統，磁學與超導(dao)膜式(shi)器(qi)件(jian)、聲表面波器(qi)件(jian)、膜式(shi)敏感器(qi)件(jian)等的應用(yong)。

總而(er)言之，厚(hou)膜技(ji)(ji)術(shu)與薄膜技(ji)(ji)術(shu)在(zai)部分領域（例如：片式電(dian)阻）有一定的替(ti)代，但是厚(hou)膜技(ji)(ji)術(shu)由于成本、可靠性、高溫性能等方(fang)面的優勢，在(zai)很多產(chan)品(pin)的制造及(ji)相關工藝中無可替(ti)代，另外LTCC及(ji)HTCC等多層共燒結(jie)工藝中，無法應用薄膜技(ji)(ji)術(shu)。