摘要：當前主(zhu)流(liu)顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)技術存在著顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)功(gong)耗偏高的問(wen)題，基(ji)(ji)于(yu)(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)由于(yu)(yu)可以取消偏光(guang)片和(he)彩色濾光(guang)片的使(shi)用(yong)，更適(shi)合于(yu)(yu)戶(hu)外(wai)、低功(gong)耗類(lei)的應用(yong)。為了(le)(le)將(jiang)(jiang)基(ji)(ji)于(yu)(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)器(qi)大規模制造(zao)，將(jiang)(jiang)液(ye)晶顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)工(gong)藝與(yu)基(ji)(ji)于(yu)(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)進(jin)行材料和(he)工(gong)藝的匹配意義重大。本文(wen)對(dui)MEMS與(yu)液(ye)晶顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)加工(gong)工(gong)藝進(jin)行系統(tong)介紹，同時(shi)分(fen)析了(le)(le)3種主(zhu)流(liu)基(ji)(ji)于(yu)(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)模式，詳細闡述(shu)了(le)(le)將(jiang)(jiang)現(xian)行規模生(sheng)產(chan)下的液(ye)晶顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)工(gong)藝應用(yong)于(yu)(yu)這些基(ji)(ji)于(yu)(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)技術所做的一些工(gong)作(zuo)和(he)研究(jiu)進(jin)展(zhan)，并探討(tao)了(le)(le)基(ji)(ji)于(yu)(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)技術的發展(zhan)趨勢。

1 引言

        薄膜(mo)(mo)晶體管（Thin Film Transistor, TFT）液(ye)晶顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)最早(zao)出(chu)現于20世紀60年(nian)代，經過30余年(nian)的(de)(de)發(fa)(fa)展，逐步取代CRT（Cathode Ray Tube）顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)，并(bing)形成(cheng)(cheng)大規模生產。雖(sui)然(ran)之后出(chu)現了OLED（Organic Light Emitting Diode）顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)、QLED（Quantum Dot Light Emitting Diodes）顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)及(ji)Micro-LED（Micro-Light Emitting Diode）顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)等(deng)(deng)多種顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)，TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display）顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)仍為(wei)顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)的(de)(de)基(ji)(ji)石。TFT-LCD結構(gou)包(bao)括TFT基(ji)(ji)板(ban)、彩(cai)(cai)色濾光(guang)(guang)(guang)(guang)片基(ji)(ji)板(ban)、液(ye)晶層(ceng)、配向膜(mo)(mo)、偏(pian)光(guang)(guang)(guang)(guang)片與背光(guang)(guang)(guang)(guang)模組。顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)過程(cheng)如下：背光(guang)(guang)(guang)(guang)模組發(fa)(fa)出(chu)光(guang)(guang)(guang)(guang)線(xian)(xian)，光(guang)(guang)(guang)(guang)線(xian)(xian)先后通(tong)過偏(pian)光(guang)(guang)(guang)(guang)片、液(ye)晶層(ceng)、彩(cai)(cai)色濾光(guang)(guang)(guang)(guang)片單(dan)元(yuan)(yuan)，通(tong)過TFT控制(zhi)液(ye)晶偏(pian)轉(zhuan)實(shi)現顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)。TFT-LCD由于使用了偏(pian)光(guang)(guang)(guang)(guang)片、彩(cai)(cai)色濾光(guang)(guang)(guang)(guang)片等(deng)(deng)光(guang)(guang)(guang)(guang)損耗單(dan)元(yuan)(yuan)，其光(guang)(guang)(guang)(guang)利用率極低(di)，約為(wei)8 %。近(jin)些年(nian)來，由于顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)市場的(de)(de)激(ji)烈(lie)競爭，TFT-LCD的(de)(de)市場受到了極大的(de)(de)擠壓(ya)，然(ran)而(er)(er)由于工藝(yi)成(cheng)(cheng)熟度(du)高(gao)(gao)，TFT-LCD具(ju)有(you)(you)其他顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)結構(gou)所不具(ju)備的(de)(de)成(cheng)(cheng)本優勢。OLED與QLED雖(sui)為(wei)自發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)，但是(shi)由于材料穩定性與發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)強度(du)較(jiao)難平衡(heng)，因(yin)而(er)(er)有(you)(you)其局(ju)限性。MicroLED亦為(wei)自發(fa)(fa)光(guang)(guang)(guang)(guang)顯(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)(shi)，具(ju)有(you)(you)低(di)功耗、高(gao)(gao)亮(liang)度(du)及(ji)高(gao)(gao)色彩(cai)(cai)飽和度(du)等(deng)(deng)優點，但由于其轉(zhuan)印(yin)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)不成(cheng)(cheng)熟，全(quan)彩(cai)(cai)化實(shi)現等(deng)(deng)方(fang)面還存在諸多技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)瓶頸，因(yin)而(er)(er)并(bing)未實(shi)現產業化應(ying)用。

        微機電(dian)系(xi)統（Micro-electro-mechanical Systems, MEMS）是一種集成(cheng)機械和(he)電(dian)學(xue)元素實現特定功能(neng)的(de)(de)系(xi)統，被廣(guang)泛應用(yong)于日常的(de)(de)傳(chuan)感、制動(dong)器及電(dian)子等微結構中。MEMS由靜(jing)止單(dan)(dan)(dan)元和(he)可移(yi)動(dong)單(dan)(dan)(dan)元組成(cheng)，具體(ti)包括道、孔、懸(xuan)臂、膜、腔(qiang)以(yi)及其他結構。電(dian)源或(huo)電(dian)極用(yong)來(lai)提供電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)荷(he)(he)至可移(yi)動(dong)單(dan)(dan)(dan)元和(he)靜(jing)止單(dan)(dan)(dan)元。若正電(dian)荷(he)(he)積累在可移(yi)動(dong)單(dan)(dan)(dan)元，負(fu)電(dian)荷(he)(he)積累在靜(jing)止部(bu)分，就(jiu)會產生一個相(xiang)互(hu)吸引的(de)(de)靜(jing)電(dian)力(li)。靜(jing)電(dian)力(li)會使可移(yi)動(dong)單(dan)(dan)(dan)元移(yi)動(dong)到(dao)靜(jing)止部(bu)分。當靜(jing)電(dian)力(li)比回復力(li)大時，部(bu)件保持(chi)閉(bi)合；當電(dian)壓(ya)被除(chu)去，根據(ju)不同(tong)的(de)(de)設計，可移(yi)動(dong)單(dan)(dan)(dan)元保持(chi)或(huo)回到(dao)初始狀態。

        MEMS技(ji)術(shu)廣泛應(ying)用(yong)(yong)于(yu)顯(xian)示(shi)(shi)器件。主流的(de)基于(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的(de)顯(xian)示(shi)(shi)技(ji)術(shu)包括干涉調制(zhi)顯(xian)示(shi)(shi)（Interferometric Modulator Display, IMOD）技(ji)術(shu)、時分復用(yong)(yong)光學開關顯(xian)示(shi)(shi)（TMOS, Time Multi-plexed Optical Shutte Display）技(ji)術(shu)及光學微開關顯(xian)示(shi)(shi)（DMS, Digital Micro Shutter Display）技(ji)術(shu)。本(ben)文對MEMS與TFT-LCD加工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝進(jin)行了系統介(jie)紹，分析了3種主流的(de)基于(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的(de)顯(xian)示(shi)(shi)模式，討論了近些(xie)年將低成本(ben)TFT-LCD工(gong)(gong)藝應(ying)用(yong)(yong)于(yu)基于(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的(de)顯(xian)示(shi)(shi)技(ji)術(shu)所做的(de)一些(xie)工(gong)(gong)作及研(yan)究進(jin)展。

2 MEMS工藝與TFT-LCD工藝

        MEMS加(jia)工工藝(yi)目前主要有體硅(gui)微機械(xie)加(jia)工工藝(yi)、表面微機械(xie)加(jia)工工藝(yi)和(he)非硅(gui)工藝(yi)3種。

        體(ti)硅(gui)(gui)(gui)微機(ji)械加(jia)工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝通(tong)過雙面(mian)光(guang)(guang)刻、腐蝕(shi)及鍵合的(de)(de)方法(fa)對(dui)(dui)硅(gui)(gui)(gui)襯底進行加(jia)工(gong)(gong)，形(xing)成三(san)維(wei)立體(ti)微結構。在(zai)體(ti)硅(gui)(gui)(gui)微機(ji)械加(jia)工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝中，由于(yu)需要雙面(mian)光(guang)(guang)刻機(ji)，因(yin)此需要在(zai)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)正反面(mian)制(zhi)作有精(jing)確位置要求的(de)(de)圖形(xing)。常(chang)用于(yu)針對(dui)(dui)幾十或幾百微米的(de)(de)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)，制(zhi)作大的(de)(de)深(shen)寬比(bi)。深(shen)硅(gui)(gui)(gui)刻蝕(shi)是體(ti)硅(gui)(gui)(gui)微機(ji)械加(jia)工(gong)(gong)技術(shu)的(de)(de)核心，利用刻蝕(shi)劑對(dui)(dui)硅(gui)(gui)(gui)的(de)(de)晶(jing)向依賴性，即其(qi)在(zai)不同晶(jing)面(mian)具有不同的(de)(de)腐蝕(shi)速率，從而刻蝕(shi)出具有高深(shen)寬比(bi)的(de)(de)凹槽。

        表面(mian)(mian)微(wei)(wei)(wei)機(ji)械加(jia)工(gong)(gong)工(gong)(gong)藝，通(tong)過在硅片(pian)(pian)表面(mian)(mian)形成(cheng)犧(xi)牲(sheng)層并對(dui)其(qi)進行(xing)腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)，形成(cheng)各種表面(mian)(mian)微(wei)(wei)(wei)結(jie)構(gou)。由于(yu)其(qi)微(wei)(wei)(wei)加(jia)工(gong)(gong)過程(cheng)都是(shi)針對(dui)腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)硅片(pian)(pian)表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)薄膜上的(de)(de)(de)犧(xi)牲(sheng)層進行(xing)的(de)(de)(de)，因而(er)又稱(cheng)為犧(xi)牲(sheng)層腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)技術。表面(mian)(mian)犧(xi)牲(sheng)層技術是(shi)表面(mian)(mian)微(wei)(wei)(wei)機(ji)械技術的(de)(de)(de)核心(xin)工(gong)(gong)藝，其(qi)關(guan)鍵(jian)在于(yu)犧(xi)牲(sheng)層和腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)液材料的(de)(de)(de)選擇(ze)，需要腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)液在腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)犧(xi)牲(sheng)層的(de)(de)(de)同(tong)時幾乎不腐(fu)(fu)(fu)蝕(shi)上面(mian)(mian)結(jie)構(gou)層和下面(mian)(mian)襯底。由于(yu)精度控制要求較高，因而(er)通(tong)過精確控制膜厚(hou)，可以形成(cheng)幾微(wei)(wei)(wei)米的(de)(de)(de)結(jie)構(gou)圖形。

        非(fei)硅(gui)工藝(yi)則是通(tong)過光刻(ke)、電鑄(zhu)和注塑工藝(yi)，形成較大(da)深寬(kuan)比（可達200）的微結(jie)構(gou)，又稱為LIGA（即(ji)德(de)文Lithographie（光刻(ke)）、Galanoformung（電鑄(zhu)）與Abformung（注塑））。由于要(yao)(yao)制(zhi)作深度較大(da)的微型器件，需要(yao)(yao)穿透力較強的X-Ray進行照射。而由于X-Ray深度光刻(ke)成本較高，無(wu)法進行大(da)批量生產(chan)，因此目前LIGA技術的產(chan)業(ye)化需要(yao)(yao)通(tong)過電鑄(zhu)制(zhi)模來實現。

       TFT-LCD是(shi)(shi)將(jiang)微電子技(ji)術與(yu)液晶(jing)顯(xian)(xian)示(shi)器(qi)(qi)技(ji)術巧(qiao)妙結合的(de)一(yi)種技(ji)術。將(jiang)在硅基(ji)(ji)上(shang)(shang)進行的(de)微電子精細加工(gong)的(de)技(ji)術移植到大面積玻璃上(shang)(shang)，并將(jiang)該陣列基(ji)(ji)板(ban)(ban)與(yu)帶有彩(cai)色濾色膜的(de)基(ji)(ji)板(ban)(ban)對盒(he)，最后經偏光片貼覆等(deng)過程，形(xing)(xing)成顯(xian)(xian)示(shi)器(qi)(qi)件。TFT-LCD的(de)制造工(gong)藝包括以下(xia)4部(bu)分(fen)：（1）在玻璃基(ji)(ji)板(ban)(ban)上(shang)(shang)形(xing)(xing)成TFT陣列；（2）在彩(cai)色濾光片基(ji)(ji)板(ban)(ban)上(shang)(shang)形(xing)(xing)成彩(cai)色濾光圖(tu)案；（3）基(ji)(ji)板(ban)(ban)對盒(he)；（4）安裝(zhuang)外圍電路(lu)、組裝(zhuang)背光源。其(qi)中TFT陣列基(ji)(ji)板(ban)(ban)最為常用(yong)的(de)為非晶(jing)硅TFT，其(qi)主要利(li)用(yong)的(de)是(shi)(shi)金屬和(he)非金屬薄膜工(gong)藝，經掩膜版(ban)曝光、顯(xian)(xian)影、干法刻蝕及剝(bo)離步驟后形(xing)(xing)成所需布線圖(tu)案。

       在3種MEMS加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)中，由(you)于(yu)體硅微(wei)(wei)機(ji)械(xie)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)需要(yao)雙面(mian)光(guang)(guang)刻機(ji)及鍵合技術等(deng)，LIGA工(gong)藝(yi)需要(yao)X-Ray曝(pu)光(guang)(guang)機(ji)，因(yin)而(er)不能與TFT-LCD工(gong)藝(yi)兼容。而(er)表(biao)(biao)面(mian)微(wei)(wei)機(ji)械(xie)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)簡單，易于(yu)與TFT-LCD工(gong)藝(yi)兼容，因(yin)而(er)得到(dao)廣(guang)泛應用(yong)。本文(wen)所介紹的(de)基于(yu)MEMS輔助的(de)顯示(shi)工(gong)藝(yi)，皆以表(biao)(biao)面(mian)微(wei)(wei)機(ji)械(xie)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)為基礎。

3 干涉調制顯示

       干(gan)涉(she)(she)(she)調(diao)制顯示(shi)(shi)（IMOD）是由(you)Iridigm DisplayCorporation（之(zhi)后(hou)(hou)并(bing)入Qualcomm公司）提(ti)出后(hou)(hou)而(er)(er)(er)為大家所(suo)熟(shu)知的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)種顯示(shi)(shi)技術，即Mirasol顯示(shi)(shi)。IMOD的(de)(de)(de)(de)(de)關鍵結(jie)構(gou)是可(ke)以調(diao)節的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)學微腔，類似于(yu)(yu)法布里(li)-珀羅標準具(ju)，由(you)獨立的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)屬反(fan)光(guang)膜(mo)與薄(bo)膜(mo)堆疊(die)形成(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)半(ban)透半(ban)反(fan)膜(mo)形成(cheng)一(yi)個微小的(de)(de)(de)(de)(de)平行反(fan)射(she)(she)(she)鏡(jing)。其中，金(jin)屬反(fan)射(she)(she)(she)膜(mo)位于(yu)(yu)下部，是可(ke)變形的(de)(de)(de)(de)(de)。在(zai)兩層(ceng)薄(bo)膜(mo)間(jian)施(shi)加(jia)電壓，可(ke)使下部金(jin)屬反(fan)射(she)(she)(she)層(ceng)隆(long)起，進而(er)(er)(er)改變兩層(ceng)薄(bo)膜(mo)間(jian)隙(xi)。如圖1所(suo)示(shi)(shi)，當環(huan)境(jing)光(guang)入射(she)(she)(she)到微結(jie)構(gou)中，光(guang)線會(hui)(hui)受(shou)到底(di)(di)部金(jin)屬反(fan)射(she)(she)(she)膜(mo)及(ji)上層(ceng)薄(bo)膜(mo)堆疊(die)的(de)(de)(de)(de)(de)半(ban)透半(ban)反(fan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)反(fan)射(she)(she)(she)。根據需要(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)波長選擇兩層(ceng)薄(bo)膜(mo)間(jian)隙(xi)的(de)(de)(de)(de)(de)高度，對于(yu)(yu)特定的(de)(de)(de)(de)(de)波長，底(di)(di)層(ceng)金(jin)屬反(fan)光(guang)膜(mo)反(fan)射(she)(she)(she)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)線與上層(ceng)堆疊(die)結(jie)構(gou)反(fan)射(she)(she)(she)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)線存在(zai)微小相(xiang)(xiang)移動。根據相(xiang)(xiang)位差的(de)(de)(de)(de)(de)不同(tong)，某些(xie)波長將發生(sheng)相(xiang)(xiang)長干(gan)涉(she)(she)(she)，另一(yi)些(xie)發生(sheng)相(xiang)(xiang)消干(gan)涉(she)(she)(she)。通(tong)過(guo)增強的(de)(de)(de)(de)(de)干(gan)涉(she)(she)(she)，人眼會(hui)(hui)接收到特定波長的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)種顏色，包(bao)括紅(hong)色、綠色和藍色。而(er)(er)(er)相(xiang)(xiang)消干(gan)涉(she)(she)(she)會(hui)(hui)導致一(yi)個黑態，產生(sheng)黑色。按照這種方式，通(tong)過(guo)施(shi)加(jia)驅(qu)動電壓可(ke)以選擇性(xing)地控(kong)制顯示(shi)(shi)的(de)(de)(de)(de)(de)顏色。

圖1 IMOD顯示器件結構和(he)工作原理

       IMOD顯(xian)(xian)示(shi)(shi)像(xiang)素的(de)(de)設計基(ji)于以下原則：（1）根據薄(bo)膜干涉(she)調制原理(li)，利用環境(jing)光(guang)產(chan)生顏色；（2）利用微腔MEMS的(de)(de)開關結(jie)構(gou)，改變(bian)像(xiang)素的(de)(de)狀態（R/G/B/黑態）。由于反(fan)射光(guang)從(cong)環境(jing)光(guang)源(yuan)回收(shou)，且低電壓(ya)MEMS像(xiang)素開關意(yi)味著(zhu)顯(xian)(xian)示(shi)(shi)陣列(lie)尋址時是低功耗(hao)的(de)(de)，因此(ci)與(yu)目前主流的(de)(de)顯(xian)(xian)示(shi)(shi)技(ji)術(shu)相比，IMOD顯(xian)(xian)示(shi)(shi)具有低功耗(hao)的(de)(de)特性(xing)。與(yu)常規的(de)(de)反(fan)射顯(xian)(xian)示(shi)(shi)相比，干涉(she)調制的(de)(de)環境(jing)光(guang)會(hui)造成一個顯(xian)(xian)著(zhu)的(de)(de)視覺體驗，因此(ci)，顯(xian)(xian)示(shi)(shi)技(ji)術(shu)的(de)(de)圖像(xiang)質(zhi)量(liang)，如對比度、色域更佳且沒有衰減(jian)。

       為(wei)了將IMOD進(jin)(jin)行(xing)大規模(mo)制造，在TFT-LCD工廠(chang)進(jin)(jin)行(xing)IMOD材(cai)料和工藝的匹配。主要包括如下關(guan)鍵步驟：像素陣(zhen)列(lie)制作、顯示面板制作和組裝(zhuang)。

       IMOD的(de)像素制(zhi)作(zuo)，大部分基于普通TFT實(shi)驗室的(de)整體(ti)工(gong)藝(yi)(yi)步驟，包(bao)括等離(li)子增強(qiang)化(hua)學氣(qi)相沉(chen)積（PECVD）和(he)(he)磁控濺射沉(chen)積，光(guang)刻圖(tu)案化(hua)，干法和(he)(he)濕法刻蝕(shi)，但是(shi)仍需(xu)額(e)(e)外(wai)使(shi)用表面(mian)微處理工(gong)藝(yi)(yi)。MEMS工(gong)藝(yi)(yi)過程(cheng)包(bao)括形成(cheng)空氣(qi)間隙和(he)(he)沉(chen)積一個犧牲層，并通過適當的(de)掩膜版進行圖(tu)案化(hua)，刻蝕(shi)并剝離(li)，完成(cheng)制(zhi)作(zuo)。IMOD器件的(de)簡單工(gong)藝(yi)(yi)制(zhi)作(zuo)流程(cheng)見圖(tu)2。與標(biao)準的(de)TFT陣列工(gong)藝(yi)(yi)類似，工(gong)藝(yi)(yi)過程(cheng)需(xu)要(yao)大量額(e)(e)外(wai)的(de)控制(zhi)和(he)(he)優化(hua)，以保證IMOD器件滿足(zu)所(suo)需(xu)的(de)操作(zuo)和(he)(he)可靠規格。

圖2 IMOD器(qi)件TFT-LCD兼容的(de)(de)背板工(gong)藝制(zhi)作流程。（a）圖案(an)化(hua)后(hou)的(de)(de)緩沖層和下部電極(ji)層；（b）沉積(ji)介質層；（c）圖案(an)化(hua)后(hou)的(de)(de)犧牲(sheng)層；（d）圖案(an)化(hua)后(hou)的(de)(de)支撐層；（e）沉積(ji)反射隔膜層；（f）剝(bo)離犧牲(sheng)層。

       在(zai)顯(xian)(xian)示面(mian)(mian)板制作與顯(xian)(xian)示模組組裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)工藝(yi)過程中(zhong)，通常將陣列玻(bo)璃和(he)一個蓋板玻(bo)璃封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)在(zai)一起，以(yi)保護MEMS器件(jian)(jian)不受(shou)物理損壞或環境污染（圖3）。典型的(de)(de)IMOD封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)溶(rong)液，可(ke)借鑒使用目(mu)前TFT工業的(de)(de)封框(kuang)膠，封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)工藝(yi)在(zai)近大氣壓力條件(jian)(jian)下進(jin)行(xing)。需(xu)要(yao)注意的(de)(de)是，為了(le)防止(zhi)水分進(jin)入(ru)，需(xu)要(yao)額外引(yin)入(ru)一種具有吸水功能的(de)(de)膜層(ceng)，以(yi)提高顯(xian)(xian)示面(mian)(mian)板的(de)(de)壽命。IMOD的(de)(de)固有顯(xian)(xian)示模式，減少了(le)傳(chuan)統(tong)顯(xian)(xian)示部件(jian)(jian)（偏光片和(he)彩膜）的(de)(de)使用，同時也減小(xiao)了(le)顯(xian)(xian)示模組構架的(de)(de)復(fu)雜(za)性。

圖3 IMOD器件TFT-LCD兼容的(de)模(mo)組(zu)封裝結(jie)構(gou)

4 數字微開關

       數字微開(kai)(kai)關(guan)顯示（Digital Micro Shutter Dis-play, DMS）是(shi)(shi)(shi)一種(zhong)新型的基于MEMS輔助的顯示技術，通(tong)過將DMS制(zhi)(zhi)作在(zai)TFT背(bei)(bei)板(ban)(ban)上，作為光(guang)(guang)調制(zhi)(zhi)器(qi)控(kong)制(zhi)(zhi)光(guang)(guang)開(kai)(kai)關(guan)狀態。典型的DMS結(jie)(jie)構(gou)由開(kai)(kai)關(guan)、懸臂梁和電極構(gou)成，通(tong)過靜電力(li)驅動實現(xian)開(kai)(kai)或關(guan)的狀態，并控(kong)制(zhi)(zhi)開(kai)(kai)關(guan)的水平移(yi)動。圖4是(shi)(shi)(shi)DMS顯示器(qi)件典型的光(guang)(guang)學結(jie)(jie)構(gou)，從頂部至(zhi)底部分(fen)別為TFT背(bei)(bei)板(ban)(ban)、MEMS膜層(ceng)、開(kai)(kai)口(kou)擋(dang)板(ban)(ban)和背(bei)(bei)光(guang)(guang)單元，在(zai)開(kai)(kai)口(kou)擋(dang)板(ban)(ban)和TFT背(bei)(bei)板(ban)(ban)上刻蝕(shi)出溝槽。DMS開(kai)(kai)關(guan)作為光(guang)(guang)閥(fa)，控(kong)制(zhi)(zhi)光(guang)(guang)是(shi)(shi)(shi)否穿透。

圖4 DMS顯示器件的典(dian)型的光學結(jie)構

       DMS系統的(de)主要功耗優勢在于其(qi)可以利(li)用(yong)更多(duo)的(de)背(bei)光(guang)。在TFT-LCD中(zhong)，由于偏光(guang)片(pian)(pian)和彩色濾光(guang)片(pian)(pian)的(de)使用(yong)，光(guang)學疊加光(guang)轉向損(sun)(sun)耗及像素開(kai)口率損(sun)(sun)耗，導致LCD背(bei)光(guang)的(de)利(li)用(yong)率小(xiao)于8 %，這對(dui)于功耗是一個很大的(de)損(sun)(sun)失(shi)，尤(you)其(qi)是在高(gao)亮環境中(zhong)。DMS技術使用(yong)反(fan)光(guang)背(bei)光(guang)系統，取消了高(gao)光(guang)損(sun)(sun)失(shi)膜層，如偏光(guang)片(pian)(pian)、彩色濾光(guang)片(pian)(pian)、液晶及ITO膜層，可以允許50 %~80 %的(de)光(guang)透射到人眼，因此，背(bei)光(guang)的(de)利(li)用(yong)是非常(chang)有效的(de)。

       由于(yu)電子微開關(guan)的(de)開關(guan)速(su)度比(bi)液(ye)晶快很多(duo)(duo)，因此(ci)，使(shi)用場(chang)序(xu)(xu)彩(cai)色代替(ti)彩(cai)色濾光片的(de)應用。通過使(shi)用RGB LED燈，快速(su)產生時序(xu)(xu)彩(cai)色畫面。通過顏色整合方式，可以看到(dao)全彩(cai)畫面。此(ci)方法已應用于(yu)許多(duo)(duo)投(tou)影顯示及基(ji)于(yu)TI微鏡(jing)陣列的(de)顯示。LCD由于(yu)常規液(ye)晶材料響應時間(jian)太(tai)長，不能使(shi)用場(chang)序(xu)(xu)彩(cai)色；而DMS開關(guan)時間(jian)在(zai)100 μs左右，與透明液(ye)晶相比(bi)快得多(duo)(duo)，適(shi)合于(yu)場(chang)序(xu)(xu)彩(cai)色的(de)使(shi)用。

       為了獲得更(geng)為豐富的(de)(de)(de)色彩顯示，每種顏色被劃分為不同(tong)時(shi)間(jian)的(de)(de)(de)切片(pian)幀，從最(zui)短(duan)的(de)(de)(de)光(guang)照亮開始，在時(shi)間(jian)上以2倍的(de)(de)(de)速度遞增。每個像素通過控(kong)制每個像素開或(huo)關的(de)(de)(de)持續時(shi)間(jian)來(lai)控(kong)制其(qi)所需亮度。與典(dian)型的(de)(de)(de)液晶顯示一樣，一個完整的(de)(de)(de)24位(wei)色的(de)(de)(de)單幀以這種方式在1/60 s內(nei)完成，也可(ke)使用不同(tong)算法(fa)達到(dao)進(jin)一步節省功耗的(de)(de)(de)效果。

       與LCD相比，DMS顯(xian)示(shi)由(you)于使用時間場順(shun)序顏色背光，不再需(xu)要彩(cai)色濾光片和(he)偏光片，因此，背光的使用是非常(chang)有(you)效的。若從開口擋(dang)板(ban)的反射表面(mian)得(de)到(dao)循環光，效果更(geng)佳，開關速度約為100 μs。DMS顯(xian)示(shi)具有(you)高(gao)(gao)(gao)光效、寬色域、低功耗、高(gao)(gao)(gao)對比度和(he)高(gao)(gao)(gao)速場序彩(cai)色驅動等優點。

當DMS顯示大(da)批量(liang)制作時(shi)，費用是首先需(xu)要考慮的因素。近年(nian)來，由(you)于(yu)LCD市場(chang)的激烈(lie)競爭(zheng)，TFT-LCD的成本受到了(le)(le)極大(da)的擠壓。為了(le)(le)保持生產(chan)成本，因地制宜，充(chong)分利用低成本的LCD制造業意(yi)義重大(da)。基(ji)于(yu)此，DMS流程被(bei)設(she)計(ji)為100 %使用LCD標準(zhun)材(cai)料和加工(gong)設(she)備。

       與LCD顯(xian)示類似，DMS顯(xian)示同樣需(xu)要一個背板(ban)二極管來尋址每(mei)個像素(su)處于開或(huo)關(guan)的狀態(tai)。為了與LCD工(gong)藝盡量(liang)兼容，使用標準(zhun)的薄膜晶(jing)體管背板(ban)工(gong)藝。

        首先，使(shi)用雙層(ceng)(ceng)犧(xi)牲材料(liao)，制作一(yi)(yi)個三維結(jie)構，包括開關、懸臂梁(liang)和驅動(dong)器，如圖(tu)5（a）所示(shi)(shi)。TFT背板(ban)用犧(xi)牲層(ceng)(ceng)覆蓋，然后被(bei)圖(tu)案化(hua)制作通(tong)孔，其尺寸和形狀與(yu)LCD-TFT中的(de)(de)孔洞(dong)支(zhi)撐(cheng)和孔洞(dong)類(lei)似(si)。錨定孔在這(zhe)一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)被(bei)圖(tu)案化(hua)，以提供與(yu)TFT背板(ban)的(de)(de)電(dian)接觸與(yu)機(ji)械接觸。之后，進(jin)入模(mo)(mo)板(ban)層(ceng)(ceng)工藝(yi)，如圖(tu)5（b）所示(shi)(shi)。在此層(ceng)(ceng)進(jin)行DMS微彈簧和執行器的(de)(de)模(mo)(mo)板(ban)制作，類(lei)似(si)于制造(zao)金屬(shu)零件(jian)的(de)(de)塑(su)料(liao)零件(jian)或砂型的(de)(de)注塑(su)模(mo)(mo)具(ju)。模(mo)(mo)具(ju)層(ceng)(ceng)與(yu)錨層(ceng)(ceng)類(lei)似(si)，均為一(yi)(yi)種(zhong)犧(xi)牲材料(liao)的(de)(de)涂層(ceng)(ceng)，具(ju)有(you)定義快(kuai)門組(zu)件(jian)形狀的(de)(de)特(te)征(zheng)。但是，模(mo)(mo)具(ju)層(ceng)(ceng)有(you)一(yi)(yi)額外的(de)(de)限制，即圖(tu)案化(hua)后必須(xu)有(you)一(yi)(yi)個非(fei)常直的(de)(de)側壁。這(zhe)正如前所述，側壁將允許形成側壁梁(liang)。

圖5 DMS器件TFT-LCD兼(jian)容的(de)背板(ban)工藝制(zhi)作(zuo)流程。（a）開關，懸臂梁和(he)驅動器的(de)制(zhi)作(zuo)；（b）DMS微彈簧和(he)執行器模板(ban)的(de)制(zhi)作(zuo)；（c）光束層(ceng)的(de)制(zhi)作(zuo)；（d）移(yi)除犧(xi)牲層(ceng)，完成(cheng)制(zhi)作(zuo)。

       將(jiang)一(yi)個(ge)結構膜(mo)層(ceng)沉積在(zai)(zai)兩層(ceng)犧(xi)牲(sheng)層(ceng)之上，進行光(guang)束層(ceng)的制(zhi)作(zuo)，如圖5（c）所(suo)示。要求對底(di)層(ceng)膜(mo)層(ceng)進行水平(ping)和垂直(zhi)(zhi)表(biao)面的全覆蓋。在(zai)(zai)此步驟中使(shi)用標準的LCD光(guang)刻膠(jiao)(jiao)工(gong)藝(yi)，以制(zhi)作(zuo)一(yi)個(ge)保(bao)護(hu)開關和錨區(qu)域的結構膜(mo)層(ceng)。之后(hou)，使(shi)用具有各向異(yi)性的等離子進行干法刻蝕工(gong)藝(yi)，將(jiang)結構膜(mo)從未被(bei)光(guang)束層(ceng)光(guang)刻膠(jiao)(jiao)保(bao)護(hu)的水平(ping)表(biao)面移除(chu)，同時也在(zai)(zai)模具上留下結構膜(mo)的垂直(zhi)(zhi)圖案，形成(cheng)側壁(bi)梁彈簧和傳(chuan)動裝置。

        在最后階段(duan)，犧牲層(ceng)(ceng)被移(yi)除，開關可以實現移(yi)動(dong)，如圖5（d）所示。鈍化層(ceng)(ceng)介(jie)電(dian)材料用于DMS器(qi)件，以阻(zu)止任何電(dian)短路發生(sheng)。之后完成(cheng)DMS所有的組裝步驟，即與LCD組裝過程類似，覆蓋玻璃板，貼附(fu)驅(qu)動(dong)芯片及連接器(qi)。

5 時分復用光學開關顯示

       時分復用光學(xue)開(kai)關顯(xian)示（Time Multiplexed Optical Shutter, TMOS）是根據受抑全內反射（FTIR, Frustrated Total Internal Reflection）原理制作的顯(xian)示系統，由Uni-Pixel顯(xian)示公司發明。

       FTIR顯示的(de)(de)基本原(yuan)理是：光(guang)通過一種薄的(de)(de)平面透明波導(dao)從邊緣注入，在波導(dao)內發生鏡像反(fan)射。活性層與導(dao)光(guang)板之(zhi)間靠粘(zhan)合劑粘(zhan)貼，會(hui)有(you)輕微的(de)(de)分離。當活性層被壓縮時，棱鏡會(hui)接觸到(dao)導(dao)光(guang)板。由于受抑實(shi)現全內反(fan)射效應，此(ci)時導(dao)光(guang)板內的(de)(de)光(guang)會(hui)從導(dao)光(guang)板逃脫，形成開態；若(ruo)棱鏡回到(dao)正常的(de)(de)位(wei)置，導(dao)光(guang)板再次捕(bu)獲(huo)光(guang)，形成關態（圖6）。

        TMOS是一(yi)個(ge)創新的平(ping)板顯示技術，與傳統顯示不(bu)同，其根據(ju)受抑(yi)全內(nei)反射原理(li)制作而(er)成，使用(yong)光開關，具有更(geng)大的開口和(he)更(geng)快的響應速(su)度。同時，時序(xu)生色也(ye)大大簡化了TMOS顯示結構(gou)。由(you)于不(bu)需(xu)要使用(yong)彩(cai)色濾光片與偏光片，因(yin)此，可實現(xian)超高光效(xiao)率(lv)，達LCD的10倍。

圖6 不同狀態下的(de)TMOS像(xiang)素(su)(su)。（a）像(xiang)素(su)(su)關(guan)，背光關(guan)；（b）像(xiang)素(su)(su)關(guan)，背光開(kai)；（c）像(xiang)素(su)(su)開(kai)，背光開(kai)。

       TMOS顯示由照(zhao)明系(xi)(xi)統(tong)、導(dao)光(guang)板(ban)(ban)TFT像(xiang)素驅動電路與活性(xing)層(ceng)4部分組成（圖7）。TMOS結構使用RGB LED等(deng)作(zuo)(zuo)為光(guang)源(yuan)，并使用合適的粘附手段保證照(zhao)明系(xi)(xi)統(tong)與導(dao)光(guang)板(ban)(ban)的匹配性(xing)，阻擋漏光(guang)，重新(xin)定向雜散光(guang)線進入系(xi)(xi)統(tong)。而導(dao)光(guang)板(ban)(ban)作(zuo)(zuo)為系(xi)(xi)統(tong)中(zhong)的核心光(guang)源(yuan)透過介質，常使用標準(zhun)的TFT-LCD玻璃基(ji)板(ban)(ban)進行制作(zuo)(zuo)。

圖7 TMOS顯示器(qi)件組(zu)成結構

       TMOS單(dan)個(ge)像素的(de)(de)(de)(de)(de)(de)驅動(dong)使(shi)用可變的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)容(rong)結構來控制(zhi)。電(dian)(dian)容(rong)由(you)兩(liang)個(ge)互相(xiang)平(ping)(ping)行(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)導電(dian)(dian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)組成(cheng)，兩(liang)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)由(you)亞微米的(de)(de)(de)(de)(de)(de)空隙分開(kai)。當電(dian)(dian)容(rong)之間產生(sheng)電(dian)(dian)壓差時，庫倫(lun)力將兩(liang)個(ge)導電(dian)(dian)平(ping)(ping)行(xing)板拉到一起(qi)。在(zai)(zai)TMOS顯示結構中(zhong)(zhong)，一個(ge)電(dian)(dian)容(rong)器平(ping)(ping)面(mian)(mian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)設置(zhi)在(zai)(zai)導光(guang)片上，另外一個(ge)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)則設置(zhi)在(zai)(zai)活(huo)性(xing)(xing)層之上或之內。導光(guang)板上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)平(ping)(ping)板電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)每個(ge)像素是(shi)分離的(de)(de)(de)(de)(de)(de)，且每個(ge)像素被(bei)一個(ge)或多(duo)個(ge)TFT控制(zhi)；而活(huo)性(xing)(xing)層上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)導電(dian)(dian)電(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)則是(shi)一個(ge)薄的(de)(de)(de)(de)(de)(de)連續網絡，也就(jiu)是(shi)說，導電(dian)(dian)膜(mo)(mo)層延伸整個(ge)薄膜(mo)(mo)表面(mian)(mian)。最(zui)后，通過(guo)控制(zhi)每個(ge)像素的(de)(de)(de)(de)(de)(de)充電(dian)(dian)和放(fang)電(dian)(dian)，提供(gong)控制(zhi)吸引力，通過(guo)活(huo)性(xing)(xing)層的(de)(de)(de)(de)(de)(de)局(ju)部(bu)變形，激活(huo)每個(ge)單(dan)獨的(de)(de)(de)(de)(de)(de)像素。在(zai)(zai)最(zui)初的(de)(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)型器件中(zhong)(zhong)，使(shi)用“直接驅動(dong)”方法，即TFT驅動(dong)控制(zhi)像素。而在(zai)(zai)“簡單(dan)矩陣”模式中(zhong)(zhong)，通過(guo)導光(guang)板和活(huo)性(xing)(xing)層上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)行(xing)條(tiao)紋交(jiao)叉點，確定提供(gong)延遲(chi)控制(zhi)光(guang)快門電(dian)(dian)容(rong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)點像素功能。

       TMOS的(de)(de)(de)核(he)心元素(su)是活性(xing)層，包括(kuo)一(yi)個載(zai)體膜(mo)(mo)層（設置于(yu)其上的(de)(de)(de)光學(xue)(xue)微結(jie)構(gou)(gou)）和制作在(zai)光學(xue)(xue)微鏡上面(mian)或中間的(de)(de)(de)連續(xu)的(de)(de)(de)導體層。光學(xue)(xue)微結(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)尺寸、幾何形狀和光學(xue)(xue)特(te)(te)(te)性(xing)，控制著顯示(shi)系統的(de)(de)(de)光輸出(chu)特(te)(te)(te)性(xing)。活性(xing)層是一(yi)個聚合物載(zai)體膜(mo)(mo)層，具有光學(xue)(xue)微結(jie)構(gou)(gou)，使(shi)用涂(tu)層導體浮雕涂(tu)覆于(yu)表面(mian)。光學(xue)(xue)微結(jie)構(gou)(gou)使(shi)用UV浮雕制作。決定顯示(shi)特(te)(te)(te)性(xing)的(de)(de)(de)材料(liao)特(te)(te)(te)性(xing)的(de)(de)(de)是載(zai)體膜(mo)(mo)層的(de)(de)(de)機械特(te)(te)(te)性(xing)，光學(xue)(xue)微結(jie)構(gou)(gou)材料(liao)的(de)(de)(de)光學(xue)(xue)特(te)(te)(te)性(xing)和光學(xue)(xue)微結(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)光耦合效(xiao)率。

        TMOS的(de)驅(qu)動控(kong)制(zhi)(zhi)電路系統采用(yong)時(shi)序驅(qu)動控(kong)制(zhi)(zhi)。TMOS顯示(shi)作(zuo)為像(xiang)素(su)的(de)一系列(lie)的(de)光(guang)開(kai)(kai)關，控(kong)制(zhi)(zhi)著每個像(xiang)素(su)開(kai)(kai)和關，并(bing)根據特定的(de)時(shi)間來發(fa)光(guang)。每個像(xiang)素(su)處理(li)所有的(de)色彩，而不再需(xu)要RGB亞像(xiang)素(su)。與(yu)其他技術需(xu)要模擬設置以控(kong)制(zhi)(zhi)光(guang)調(diao)制(zhi)(zhi)不同，TMOS使用(yong)開(kai)(kai)關時(shi)序，通過(guo)脈沖寬度調(diao)制(zhi)(zhi)的(de)方式產生灰度。

       TMOS技術與TFT-LCD工藝兼容，可以(yi)以(yi)更低成(cheng)本(ben)替代傳統TFT-LCD。通(tong)過(guo)(guo)對(dui)TMOS面板進行(xing)(xing)匹配設(she)計，經(jing)過(guo)(guo)TFT-LCD面板廠商(shang)授權(quan)，可以(yi)使用(yong)現有的LCD廠的TFT-LCD設(she)備進行(xing)(xing)TMOS面板的制作。

       TMOS顯示的(de)(de)(de)結(jie)構(gou)(gou)需(xu)要克服兩個(ge)關鍵挑戰(zhan)，需(xu)要在(zai)批量生產過(guo)程中(zhong)進一(yi)步(bu)優化：足夠低(di)的(de)(de)(de)像素(su)(su)驅(qu)動(dong)(dong)(dong)電(dian)壓(ya)和適當的(de)(de)(de)粘附度。薄(bo)膜(mo)(mo)上的(de)(de)(de)導體(ti)與TFT玻璃上的(de)(de)(de)導體(ti)所(suo)構(gou)(gou)成的(de)(de)(de)電(dian)容(rong)(rong)結(jie)構(gou)(gou)是由電(dian)壓(ya)差驅(qu)動(dong)(dong)(dong)的(de)(de)(de)，電(dian)壓(ya)差產生庫倫力，從(cong)而(er)(er)驅(qu)動(dong)(dong)(dong)薄(bo)膜(mo)(mo)上的(de)(de)(de)推拉作用。由于這種電(dian)容(rong)(rong)結(jie)構(gou)(gou)尺寸(cun)在(zai)單個(ge)像素(su)(su)級(ji)別，因而(er)(er)導電(dian)板之間的(de)(de)(de)距離直接與驅(qu)動(dong)(dong)(dong)像素(su)(su)所(suo)需(xu)的(de)(de)(de)電(dian)壓(ya)直接相關。工(gong)(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)挑戰(zhan)在(zai)于在(zai)確保兩個(ge)導體(ti)距離足夠近的(de)(de)(de)前(qian)提(ti)下(xia)，電(dian)壓(ya)足夠低(di)以與TFT制(zhi)作工(gong)(gong)藝(yi)兼容(rong)(rong)，一(yi)般而(er)(er)言，電(dian)壓(ya)需(xu)要<20 V。

6 結論

       近些年(nian)，基于(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的(de)顯示穩步發展(zhan)。IMOD、DMS與(yu)(yu)TMOS3種基于(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的(de)顯示均具(ju)有低(di)功耗的(de)特點，因而受到了廣泛關(guan)注。MEMS加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)(yi)主要(yao)有體(ti)(ti)硅微(wei)(wei)機(ji)(ji)械(xie)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)(yi)、表面微(wei)(wei)機(ji)(ji)械(xie)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)(yi)和(he)(he)非硅工(gong)藝(yi)(yi)3種，其中體(ti)(ti)硅微(wei)(wei)機(ji)(ji)械(xie)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)(yi)需(xu)要(yao)雙面光刻機(ji)(ji)、鍵合技術(shu)等(deng)(deng)，LIGA工(gong)藝(yi)(yi)需(xu)要(yao)X-Ray曝光等(deng)(deng)，因此不能與(yu)(yu)TFT-LCD工(gong)藝(yi)(yi)兼(jian)容(rong)；表面微(wei)(wei)機(ji)(ji)械(xie)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)(yi)簡單，可與(yu)(yu)TFT工(gong)藝(yi)(yi)兼(jian)容(rong)，是(shi)基于(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的(de)顯示部(bu)(bu)分重點關(guan)注方(fang)向。IMOD、DMS與(yu)(yu)TMOS的(de)器件(jian)電極與(yu)(yu)驅動(dong)陣列(lie)部(bu)(bu)分均可使(shi)用TFT產線制作(zuo)。同時(shi)，由于(yu)MEMS封(feng)(feng)裝占(zhan)據(ju)了基于(yu)MEMS輔(fu)助(zhu)的(de)顯示制造大部(bu)(bu)分成(cheng)本，為(wei)(wei)了進一步降低(di)成(cheng)本，以與(yu)(yu)TFT-LCD工(gong)藝(yi)(yi)兼(jian)容(rong)為(wei)(wei)方(fang)向，MEMS封(feng)(feng)裝將(jiang)向著系列(lie)化和(he)(he)標準(zhun)化、微(wei)(wei)型化和(he)(he)復雜(za)化發展(zhan)。

        深圳市雙翌光電科技有限公司是一家以機器視覺為技術核心，自主技術研究與應用拓展為導向的高科技企業。公司自成立以來不斷創新，在智能自動化領域研發出視覺對位系統、機械手視覺定位、視覺檢測、圖像處理庫等為核心的20多款自主知識產權產品。涉及自動貼合機、絲印機、曝光機、疊片機、貼片機、智能檢測、智能鐳射等眾多行業領域。雙翌視覺系統最高生產精度可達um級別，圖像處理精準、速度快，將智能自動化制造行業的生產水平提升到一個更高的層次，改進了以往落后的生產流程，得到廣大用戶的認可與肯定。隨著智能自動化生產的普及與發展，雙翌將為廣大生產行業帶來更全面、更精細、更智能化的技術及服務。