新型電(dian)池片時代來臨，TOPCon、HJT、XBC等效率潛(qian)力更大的(de)(de)新型電(dian)池新技(ji)(ji)術紛紛涌現(xian)。激光是光伏電(dian)池實現(xian)降本增效的(de)(de)有效技(ji)(ji)術，在(zai)刻蝕(shi)、開槽、摻雜(za)、修復以及金屬化等領域均體現(xian)出相較于傳(chuan)統技(ji)(ji)術的(de)(de)明顯優勢，激光技(ji)(ji)術在(zai)各類電(dian)池技(ji)(ji)術中都有廣(guang)闊(kuo)的(de)(de)發(fa)展空間。

激光工藝在PERC技術的應用

       激(ji)光(guang)技(ji)術在PERC電池端的應用主(zhu)要包括激(ji)光(guang)摻雜(za)(za)（SE）、激(ji)光(guang)消融、激(ji)光(guang)劃片等(deng)，激(ji)光(guang)消融和激(ji)光(guang)摻雜(za)(za)已(yi)經成為標配性(xing)技(ji)術。此外，激(ji)光(guang)在光(guang)伏電池端還有(you)部(bu)分(fen)小眾型應用，如(ru)激(ji)光(guang)MWT打孔、LID/R修復(fu)等(deng)，具體來看(kan)：

激光摻雜設備：

       SE（Selective emitter）為選(xuan)擇性發射(she)極(ji)，在(zai)前道擴散工(gong)序產生(sheng)的磷硅玻璃層的基礎(chu)上，利用激(ji)光的可選(xuan)擇性加(jia)熱(re)特性，在(zai)電(dian)極(ji)柵線與硅片接觸(chu)(chu)部位進行(xing)高濃(nong)度磷摻(chan)雜，形(xing)成n++重摻(chan)雜區。激(ji)光摻(chan)雜可提高電(dian)極(ji)接觸(chu)(chu)區域的摻(chan)雜濃(nong)度，降低接觸(chu)(chu)電(dian)阻(zu)。

激光消融設備：

       利用激光(guang)對鈍化膜(mo)精(jing)密刻蝕，實現微納級(ji)高精(jing)度的(de)(de)局部接觸。該工(gong)(gong)藝(yi)為PERC技術(shu)增強鈍化的(de)(de)核心工(gong)(gong)藝(yi)之一，同時(shi)要求激光(guang)加工(gong)(gong)具(ju)有精(jing)確的(de)(de)能量(liang)分布、作用時(shi)間控制以及(ji)脈(mo)沖穩定性。PERC技術(shu)可使單晶(jing)電(dian)(dian)池光(guang)電(dian)(dian)的(de)(de)轉換效(xiao)率(lv)從20.3%提(ti)升至21.5%。

其他設備：

1）MWT打孔設備：

       應(ying)用(yong)(yong)金屬穿孔(kong)(kong)卷繞技術進行激光(guang)打孔(kong)(kong)，將(jiang)電(dian)池(chi)正面(mian)電(dian)極搜(sou)集的電(dian)流(liu)通過孔(kong)(kong)洞中的銀漿引導背面(mian)，而消除(chu)正面(mian)電(dian)極的主柵線(xian)，從而減(jian)少(shao)正面(mian)柵線(xian)的遮(zhe)光(guang)。由于(yu)MWT電(dian)池(chi)較(jiao)為小眾(zhong)，該(gai)設備僅在(zai)日托光(guang)伏等企業有少(shao)量應(ying)用(yong)(yong)。

2）LID/R修復設備：

       采用超(chao)高功率激光(guang)(guang)照(zhao)射電池片(pian)，減少載流子復合損失，從而降(jiang)低(di)光(guang)(guang)致衰減現象。通(tong)常而言，降(jiang)低(di)光(guang)(guang)致衰減的(de)主流方法為熱(re)處理、鹵素燈照(zhao)射等，均可與(yu)燒結工(gong)序結合完(wan)成，因此目(mu)前激光(guang)(guang)修復在P型電池應用較少。

3）激光劃片設備：

       用于組件端半片/疊瓦(wa)電(dian)池的切(qie)(qie)割(ge)，存在熱(re)激光切(qie)(qie)割(ge)和無損激光切(qie)(qie)割(ge)等工藝。

激光設備在PERC電(dian)池/組件制造(zao)中的應用

激光在N型電池中的應用

       激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)在(zai)N型電池中的應用包括激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)摻雜(za)、激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)修復、激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻蝕(shi)、激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)轉印等，價值量較PERC時(shi)代有望成倍(bei)增(zeng)長，因此(ci)N型電池放量也將帶來(lai)光(guang)(guang)(guang)(guang)伏激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)設備(bei)市場空(kong)間快速(su)擴容。

激光在N型電池(chi)片(pian)中的(de)應用

TOPCon：激光摻雜提升效率，有望成為標配工藝

        TOPCon全稱(cheng)Tunnel Oxide Passivated Contact，即隧穿(chuan)(chuan)(chuan)氧(yang)化(hua)(hua)層(ceng)鈍化(hua)(hua)接觸(chu)(chu)太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)結構。2013年德國Fraunhofer太(tai)陽(yang)能研究(jiu)所首次提出(chu)TOPCon電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)結構，使用(yong)(yong)磷摻(chan)雜(za)的硅薄膜實現電(dian)(dian)(dian)子(zi)選(xuan)擇性(xing)接觸(chu)(chu)，并在(zai)其(qi)(qi)與(yu)晶體硅之間制(zhi)備一層(ceng)小于2nm的隧穿(chuan)(chuan)(chuan)氧(yang)化(hua)(hua)層(ceng)，形成電(dian)(dian)(dian)子(zi)選(xuan)擇性(xing)鈍化(hua)(hua)接觸(chu)(chu)。其(qi)(qi)隧穿(chuan)(chuan)(chuan)原(yuan)理是使得多數(shu)載流(liu)子(zi)可以隧穿(chuan)(chuan)(chuan)氧(yang)化(hua)(hua)層(ceng)，對少(shao)數(shu)載流(liu)子(zi)起阻擋(dang)作用(yong)(yong)，實現了載流(liu)子(zi)選(xuan)擇性(xing)通過，降低少(shao)數(shu)載流(liu)子(zi)的復(fu)合速率，即規避了金(jin)屬電(dian)(dian)(dian)極接觸(chu)(chu)高復(fu)合風險(xian)，因而(er)TOPCon電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)具有較(jiao)高的開路電(dian)(dian)(dian)壓。在(zai)TOPCon電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)生(sheng)產流(liu)程中，激光(guang)技術可以用(yong)(yong)于選(xuan)擇性(xing)重(zhong)摻(chan)（SE工藝）及激光(guang)轉印等環(huan)節。

TOPCon+SE電池結(jie)構

HJT：激光修復可穩定保持效率增益

       異質結（HJT）是一種(zhong)特殊的PN結，由非(fei)晶硅(gui)和晶體硅(gui)材料形(xing)成，是在晶體硅(gui)上(shang)沉積非(fei)晶硅(gui)薄膜，屬于N型電池中的一種(zhong)。HJT（Heterojunction）電池最早由日本三洋公司于1990年成功(gong)開發制備方(fang)法。激(ji)光在HJT電池中的應用包括(kuo)激(ji)光修復LIR和激(ji)光轉印。

IBC：激光開槽有效解決IBC電池制備難題

       IBC電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)可(ke)與HJT、TOPCon、鈣鈦礦(kuang)等(deng)多種(zhong)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)疊(die)加(jia)，效(xiao)(xiao)率(lv)提(ti)升潛力大(da)(da)。IBC電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)可(ke)與多種(zhong)不同電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)技術疊(die)加(jia)，形(xing)成(cheng)(cheng)不同工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)路線，包括：1）以(yi)SunPower為(wei)代(dai)表的(de)(de)(de)經典IBC電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)；2）以(yi)ISFH為(wei)代(dai)表的(de)(de)(de)POLO-IBC電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)，由于(yu)POLO-IBC工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)復(fu)雜，業內更看好(hao)低成(cheng)(cheng)本(ben)的(de)(de)(de)同源技術TBC電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)（TOPCon-IBC）；3）以(yi)Kaneka為(wei)代(dai)表的(de)(de)(de)HBC電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)（IBC-HJT）；4）與鈣鈦礦(kuang)疊(die)加(jia)形(xing)成(cheng)(cheng)PSC IBC疊(die)層電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)工(gong)(gong)(gong)(gong)藝(yi)。IBC電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)PN結(jie)及電(dian)(dian)極均(jun)位于(yu)背面，結(jie)構優化(hua)效(xiao)(xiao)率(lv)優勢(shi)明顯。IBC（Interdigitated back contact）電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)，即(ji)背接觸型(xing)太(tai)陽能電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)，將P/N結(jie)、基(ji)底(di)與發射區(qu)的(de)(de)(de)接觸電(dian)(dian)極以(yi)交叉指形(xing)狀做在電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)背面。IBC電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)結(jie)構性優勢(shi)有：①正面遮光面積為(wei)零(ling)；②正面沒有柵線，沒有接觸復(fu)合和絨面結(jie)構大(da)(da)小的(de)(de)(de)限(xian)制(zhi)，表面陷(xian)光效(xiao)(xiao)應(ying)和鈍化(hua)效(xiao)(xiao)果可(ke)以(yi)達到最優化(hua)；③增加(jia)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)在組件中的(de)(de)(de)排列密度。因(yin)此，IBC從(cong)結(jie)構上打破傳統(tong)晶硅(gui)電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)的(de)(de)(de)結(jie)構限(xian)制(zhi)，為(wei)提(ti)高電(dian)(dian)池(chi)(chi)(chi)(chi)效(xiao)(xiao)率(lv)提(ti)供較大(da)(da)空間。

IBC電池(chi)結構(gou)

       目(mu)前(qian)激光開(kai)(kai)槽(cao)技術在IBC電(dian)池(chi)上的(de)(de)(de)應用主要為①刻蝕掩(yan)膜(mo)、制(zhi)備(bei)PN區(qu)(qu)(qu)交叉(cha)指結(jie)構；②PN區(qu)(qu)(qu)隔離(li)(li)；③鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)膜(mo)開(kai)(kai)槽(cao)。激光開(kai)(kai)槽(cao)工(gong)藝可以(yi)低成(cheng)本(ben)地制(zhi)備(bei)PN區(qu)(qu)(qu)結(jie)構。IBC電(dian)池(chi)工(gong)藝的(de)(de)(de)關(guan)鍵(jian)問(wen)題在于制(zhi)備(bei)呈叉(cha)指狀間隔排(pai)列的(de)(de)(de)P區(qu)(qu)(qu)和(he)(he)(he)N區(qu)(qu)(qu)、制(zhi)備(bei)更好的(de)(de)(de)表面鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)層和(he)(he)(he)金屬化(hua)。對應的(de)(de)(de)是目(mu)前(qian)IBC的(de)(de)(de)劣勢，如需(xu)要多(duo)步(bu)打掩(yan)膜(mo)的(de)(de)(de)步(bu)驟，制(zhi)程更加(jia)復雜(za)(za)；PN電(dian)極之間有漏電(dian)風(feng)險。通過激光刻蝕，可以(yi)繞過掩(yan)膜(mo)，更低成(cheng)本(ben)地制(zhi)備(bei)PN區(qu)(qu)(qu)；更靈活準確(que)地去除鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)膜(mo)形成(cheng)金屬化(hua)的(de)(de)(de)接(jie)觸區(qu)(qu)(qu)。激光開(kai)(kai)槽(cao)也可以(yi)應用于IBC電(dian)池(chi)PN區(qu)(qu)(qu)分(fen)離(li)(li)。為防止(zhi)短路，XBC電(dian)池(chi)背面的(de)(de)(de)P區(qu)(qu)(qu)和(he)(he)(he)N區(qu)(qu)(qu)之間往(wang)往(wang)需(xu)要隔離(li)(li)，PN區(qu)(qu)(qu)隔離(li)(li)有多(duo)種方式(shi)，可以(yi)利用未(wei)進行摻(chan)(chan)雜(za)(za)的(de)(de)(de)非晶硅避(bi)免P型摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)和(he)(he)(he)N型摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)直(zhi)接(jie)相通，也可以(yi)在P型摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)和(he)(he)(he)N型摻(chan)(chan)雜(za)(za)區(qu)(qu)(qu)進行激光開(kai)(kai)槽(cao)進行隔離(li)(li)。

IBC電(dian)池(chi)PN區分離

      此外，激(ji)光(guang)(guang)(guang)開槽也可(ke)以(yi)(yi)應用于(yu)(yu)IBC、TBC等(deng)電(dian)(dian)(dian)池(chi)鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)膜形成后、金屬(shu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)開始前的(de)(de)(de)(de)(de)接觸結(jie)(jie)構刻蝕(shi)環節。激(ji)光(guang)(guang)(guang)開槽鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)膜的(de)(de)(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)(de)(de)是，在N型(xing)單晶(jing)硅(gui)(gui)片背面的(de)(de)(de)(de)(de)鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)層上進行激(ji)光(guang)(guang)(guang)開窗，并將電(dian)(dian)(dian)極從N區(qu)(qu)和(he)P區(qu)(qu)上引出來，進行金屬(shu)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)。背鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)電(dian)(dian)(dian)池(chi)中的(de)(de)(de)(de)(de)背鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)膜層一(yi)般(ban)由氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁(lv)和(he)氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁(lv)和(he)氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)或(huo)摻(chan)雜(za)(za)多晶(jing)硅(gui)(gui)和(he)氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)組成，一(yi)般(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁(lv)厚(hou)(hou)度(du)(du)為(wei)520nm，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)厚(hou)(hou)度(du)(du)范圍為(wei)70220nm，常見的(de)(de)(de)(de)(de)氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁(lv)厚(hou)(hou)度(du)(du)在10nm，氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)(gui)厚(hou)(hou)度(du)(du)在70100nm時，背鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)膜呈淡藍色，為(wei)進一(yi)步改善表(biao)面鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)效(xiao)果(guo)，部分廠家增加拋(pao)光(guang)(guang)(guang)工藝，使得背鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)膜對可(ke)見光(guang)(guang)(guang)波(bo)段的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)反射率高(gao)(gao)(gao)于(yu)(yu)其它波(bo)段。激(ji)光(guang)(guang)(guang)開槽可(ke)以(yi)(yi)同時保證較(jiao)低(di)(di)的(de)(de)(de)(de)(de)接觸電(dian)(dian)(dian)阻(zu)、較(jiao)高(gao)(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)池(chi)效(xiao)率與(yu)較(jiao)好(hao)的(de)(de)(de)(de)(de)鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)效(xiao)果(guo)。由于(yu)(yu)通過激(ji)光(guang)(guang)(guang)消融方式開槽，漿(jiang)料(liao)可(ke)以(yi)(yi)利用低(di)(di)溫燒(shao)(shao)結(jie)(jie)即可(ke)實現柵(zha)線(xian)與(yu)P型(xing)/N型(xing)摻(chan)雜(za)(za)多晶(jing)硅(gui)(gui)良好(hao)的(de)(de)(de)(de)(de)歐姆(mu)接觸，在保證較(jiao)低(di)(di)接觸電(dian)(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)(de)(de)(de)同時，減少柵(zha)線(xian)區(qu)(qu)域的(de)(de)(de)(de)(de)金屬(shu)誘導復合，提高(gao)(gao)(gao)電(dian)(dian)(dian)池(chi)效(xiao)率，且避免了(le)高(gao)(gao)(gao)溫燒(shao)(shao)結(jie)(jie)漿(jiang)料(liao)對P型(xing)/N型(xing)摻(chan)雜(za)(za)多晶(jing)硅(gui)(gui)具有(you)破(po)壞性而導致柵(zha)線(xian)區(qu)(qu)域金屬(shu)誘導復合隨溫度(du)(du)升高(gao)(gao)(gao)而降(jiang)低(di)(di)電(dian)(dian)(dian)池(chi)效(xiao)率的(de)(de)(de)(de)(de)問題；同時，也避免高(gao)(gao)(gao)溫燒(shao)(shao)結(jie)(jie)漿(jiang)料(liao)對隧穿氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)層產生破(po)壞，確保電(dian)(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)鈍(dun)(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)效(xiao)果(guo)。

激光轉印：通用型金屬化技術，降本顯著空間廣

       激(ji)光轉印是一種新型(xing)的(de)無接觸式(shi)金(jin)屬(shu)化(hua)(hua)技(ji)術，適用于PERC、TOPCON、HJT、IBC等所(suo)有(you)類型(xing)電(dian)(dian)(dian)池片。電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)金(jin)屬(shu)化(hua)(hua)用于制備太陽能電(dian)(dian)(dian)池的(de)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)，是光伏電(dian)(dian)(dian)池制造的(de)必備工序。電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)金(jin)屬(shu)化(hua)(hua)有(you)較多實現(xian)方(fang)式(shi)，目前(qian)的(de)主流方(fang)法為接觸式(shi)的(de)絲網印刷，目前(qian)行業(ye)也在(zai)積極(ji)(ji)探索(suo)激(ji)光轉印、電(dian)(dian)(dian)鍍銅等新型(xing)金(jin)屬(shu)化(hua)(hua)方(fang)式(shi)的(de)產業(ye)化(hua)(hua)，助力光伏電(dian)(dian)(dian)池片進一步降本(ben)增效。

激光轉印原理圖

       激光(guang)轉印(yin)(yin)(yin)相比(bi)絲網印(yin)(yin)(yin)刷(shua)優(you)勢(shi)顯著，有望成為主(zhu)流技術之一(yi)。相比(bi)于(yu)傳統(tong)的(de)(de)(de)絲網印(yin)(yin)(yin)刷(shua)，激光(guang)轉印(yin)(yin)(yin)主(zhu)要的(de)(de)(de)優(you)勢(shi)在于(yu)：1）激光(guang)轉印(yin)(yin)(yin)的(de)(de)(de)柵線(xian)更細，現(xian)在可(ke)以(yi)(yi)做到18微米(mi)以(yi)(yi)下(xia)，漿(jiang)料(liao)節省30%，在PERC上已(yi)經得到論(lun)證，在TOPCon、HJT等(deng)(deng)路(lu)線(xian)上的(de)(de)(de)節省量(liang)會更高；2）印(yin)(yin)(yin)刷(shua)高度一(yi)致性(xing)、均(jun)勻性(xing)優(you)良，誤差在2μm，低(di)溫銀漿(jiang)也同(tong)樣適用(yong)；3) 可(ke)以(yi)(yi)改(gai)變柔性(xing)膜的(de)(de)(de)槽型，根(gen)據不同(tong)的(de)(de)(de)電(dian)池結(jie)構，來實現(xian)即定(ding)的(de)(de)(de)柵線(xian)形(xing)狀，改(gai)善電(dian)性(xing)能(neng)；4）激光(guang)轉印(yin)(yin)(yin)為非接(jie)觸(chu)式印(yin)(yin)(yin)刷(shua)，可(ke)以(yi)(yi)避免擠壓式印(yin)(yin)(yin)刷(shua)存在的(de)(de)(de)隱(yin)裂、破片、污染、劃傷等(deng)(deng)問題。同(tong)時，未來硅片薄(bo)片化趨勢(shi)，薄(bo)片化會帶來更多隱(yin)裂問題，激光(guang)轉印(yin)(yin)(yin)由(you)于(yu)非接(jie)觸(chu)式印(yin)(yin)(yin)刷(shua)，可(ke)以(yi)(yi)有效解決這個(ge)問題。

激光轉印VS絲網印刷

       激光轉(zhuan)印具備通(tong)用性，未來產(chan)業化空間(jian)廣(guang)闊(kuo)。激光轉(zhuan)印是一種通(tong)用型(xing)(xing)技術(shu)，對于電池片(pian)技術(shu)和漿(jiang)料類型(xing)(xing)沒有(you)選擇性，在PERC/TOPCon/HJT/IBC等所(suo)有(you)光伏電池片(pian)的金屬化環節均可(ke)以(yi)使用，同時也適用于高溫銀(yin)(yin)漿(jiang)、低(di)溫銀(yin)(yin)漿(jiang)、銀(yin)(yin)包(bao)銅等所(suo)有(you)漿(jiang)料類型(xing)(xing)。由(you)于TOPCon和HJT等N型(xing)(xing)電池均為雙面銀(yin)(yin)漿(jiang)，且HJT所(suo)用的低(di)溫銀(yin)(yin)漿(jiang)粘稠(chou)度(du)高、耗銀(yin)(yin)量更大，因此電池片(pian)銀(yin)(yin)漿(jiang)成(cheng)本目前遠高于PERC電池，采用激光轉(zhuan)印能夠有(you)效降低(di)N型(xing)(xing)電池銀(yin)(yin)漿(jiang)成(cheng)本，加速N型(xing)(xing)電池產(chan)業化進程(cheng)。

激光技術在組件端的應用：薄膜打孔、無損劃片

激光薄膜打孔：

       用于(yu)雙(shuang)面玻璃打孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)。雙(shuang)玻組(zu)件(jian)的(de)(de)蓋(gai)板和背板都(dou)需要(yao)使(shi)用光(guang)伏玻璃，而(er)背板光(guang)伏玻璃需要(yao)在特定位置(zhi)打孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)才能把光(guang)伏電池組(zu)件(jian)的(de)(de)電流導線引出到接線盒，因此光(guang)伏玻璃背板打孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)是組(zu)件(jian)加(jia)(jia)工(gong)中必不可少的(de)(de)一(yi)道工(gong)序。目前雙(shuang)玻組(zu)件(jian)的(de)(de)背板玻璃鉆(zhan)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)有機(ji)械(xie)法(fa)(fa)(fa)和激(ji)光(guang)法(fa)(fa)(fa)兩(liang)種技術，相比于(yu)傳統機(ji)械(xie)法(fa)(fa)(fa)，激(ji)光(guang)法(fa)(fa)(fa)具(ju)有以下優勢(shi)：1）激(ji)光(guang)法(fa)(fa)(fa)前期(qi)(qi)固定投資高(gao)(gao)，但是后期(qi)(qi)維護(hu)成本低，這(zhe)是由于(yu)機(ji)械(xie)法(fa)(fa)(fa)需要(yao)更(geng)換易耗品玻璃鉆(zhan)頭、并且需要(yao)冷卻水噴淋(lin)和收(shou)集(ji)；2）激(ji)光(guang)鉆(zhan)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)可以自由切換圓孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)、方(fang)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)、異形(xing)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)等孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)型和孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)徑需求；3）加(jia)(jia)工(gong)量率高(gao)(gao)，根據大(da)族激(ji)光(guang)，2.5mm厚度(du)玻璃加(jia)(jia)工(gong)良率方(fang)面，激(ji)光(guang)法(fa)(fa)(fa)鉆(zhan)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)高(gao)(gao)于(yu)機(ji)械(xie)鉆(zhan)孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)5%左右，未來(lai)隨著(zhu)光(guang)伏玻璃輕薄化趨(qu)勢(shi)，激(ji)光(guang)加(jia)(jia)工(gong)良率優勢(shi)將更(geng)加(jia)(jia)顯著(zhu)；4）加(jia)(jia)工(gong)精度(du)高(gao)(gao)、加(jia)(jia)工(gong)品質(zhi)好，孔(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)(kong)內壁無粉(fen)塵殘留、損傷低。

激光無損切割：

       替代傳統有損工藝，無(wu)微裂(lie)紋(wen)、熱損傷低(di)，組件效(xiao)(xiao)率(lv)損失(shi)降(jiang)低(di)0.05，兼容PERC/TOPCon /HJT等各種主流電(dian)池(chi)片(pian)(pian)。常規半(ban)片(pian)(pian)/疊瓦電(dian)池(chi)的(de)(de)切(qie)(qie)片(pian)(pian)采(cai)用激光(guang)熱切(qie)(qie)割(ge)，即通過聚(ju)焦的(de)(de)激光(guang)光(guang)斑(ban)在電(dian)池(chi)片(pian)(pian)上形成熔融溝(gou)槽(cao)，再(zai)外(wai)部施加(jia)掰(bai)斷(duan)(duan)力，這(zhe)種方法容易帶來(lai)切(qie)(qie)割(ge)斷(duan)(duan)面的(de)(de)微裂(lie)紋(wen)和電(dian)池(chi)表面較大(da)的(de)(de)熱影(ying)響區，對于(yu)薄片(pian)(pian)化的(de)(de)HJT電(dian)池(chi)可能帶來(lai)更大(da)效(xiao)(xiao)率(lv)損失(shi)。無(wu)損切(qie)(qie)割(ge)技術可以采(cai)用分(fen)離(li)式激光(guang)照射或旁軸照射光(guang)路，誘導電(dian)池(chi)片(pian)(pian)產(chan)生裂(lie)紋(wen)并(bing)延伸裂(lie)開，可降(jiang)低(di)隱裂(lie)，預計可降(jiang)低(di)組件端的(de)(de)效(xiao)(xiao)率(lv)損失(shi)0.05，同時對于(yu)生產(chan)良率(lv)的(de)(de)提升亦有幫助。

        深圳市雙翌光電科技有限公司是一家以機器視覺為技術核心，自主技術研究與應用拓展為導向的高科技企業。公司自成立以來不斷創新，在智能自動化領域研發出視覺對位系統、機械手視覺定位、視覺檢測、圖像處理庫等為核心的20多款自主知識產權產品。涉及自動貼合機、絲印機、曝光機、疊片機、貼片機、智能檢測、智能鐳射等眾多行業領域。雙翌視覺系統最高生產精度可達um級別，圖像處理精準、速度快，將智能自動化制造行業的生產水平提升到一個更高的層次，改進了以往落后的生產流程，得到廣大用戶的認可與肯定。隨著智能自動化生產的普及與發展，雙翌將為廣大生產行業帶來更全面、更精細、更智能化的技術及服務。