目(mu)前主(zhu)板(ban)控制(zhi)芯(xin)片組(zu)多采用(yong)此類封(feng)裝(zhuang)技術，材料多為陶瓷。

       采用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下，內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小體積，更好的散熱性能和電性能。

兩種BGA封裝技術的特點

       BGA封裝內存：BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距并沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；

      雖然它(ta)的(de)(de)功(gong)耗增加，但BGA能(neng)用可控塌陷(xian)芯片法焊接，從而可以改善(shan)它(ta)的(de)(de)電熱性能(neng)；厚度和重量(liang)都較以前的(de)(de)封裝技術有所減少(shao)；

       寄生參數減小(xiao)，信號傳(chuan)輸延(yan)遲小(xiao)，使用頻率大(da)大(da)提高(gao)；組(zu)裝可(ke)用共面焊接，可(ke)靠性高(gao)。

       TinyBGA封裝(zhuang)內存：采用(yong)TinyBGA封裝(zhuang)技(ji)術的內存產品在相同容量情(qing)況下體積(ji)只有TSOP封裝(zhuang)的1/3。

       TSOP封裝(zhuang)內存(cun)的(de)引腳(jiao)是(shi)由(you)芯(xin)片(pian)四周引出(chu)的(de)，而(er)TinyBGA則(ze)是(shi)由(you)芯(xin)片(pian)中心(xin)方向引出(chu)。

       這種方式有效地縮短了信(xin)(xin)號(hao)的(de)傳(chuan)導距(ju)離，信(xin)(xin)號(hao)傳(chuan)輸線的(de)長度僅是傳(chuan)統的(de)TSOP技術的(de)1/4，因此信(xin)(xin)號(hao)的(de)衰減也隨之(zhi)減少(shao)。

       這樣不僅大幅提升了芯片的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。

       基(ji)板或中間層是BGA封裝中非(fei)常重要的(de)部分(fen)，除了用于互連(lian)布線(xian)以外(wai)，還可用于阻(zu)抗控制及(ji)用于電(dian)感/電(dian)阻(zu)/電(dian)容的(de)集成。

       因此要求基板材料具(ju)有(you)高的(de)玻(bo)璃轉化溫(wen)度(du)rS(約為(wei)175~230℃）、高的(de)尺寸穩(wen)定性(xing)和低的(de)吸潮性(xing)，具(ju)有(you)較(jiao)好的(de)電(dian)氣性(xing)能和高可(ke)靠性(xing)。

       金屬(shu)薄膜、絕緣(yuan)層(ceng)和基板介質(zhi)間還要具有較高的粘附(fu)性能。

三大BGA封裝工藝及流程

一、引線鍵合PBGA的封裝工藝流程

1、PBGA基板的制備

       在BT樹脂(zhi)/玻(bo)璃芯板(ban)的(de)兩(liang)面層(ceng)壓極(ji)薄（12~18μm厚）的(de)銅箔，然(ran)后進行鉆孔和(he)通(tong)孔金屬化。用常(chang)規(gui)的(de)PCB加3232藝在基板(ban)的(de)兩(liang)面制(zhi)作出(chu)圖形，如導帶(dai)、電極(ji)、及安裝焊(han)(han)料(liao)(liao)球的(de)焊(han)(han)區陣列。然(ran)后加上焊(han)(han)料(liao)(liao)掩(yan)膜并制(zhi)作出(chu)圖形，露出(chu)電極(ji)和(he)焊(han)(han)區。為提高(gao)生產效(xiao)率，一(yi)條基片上通(tong)常(chang)含有多(duo)個PBG基板(ban)。

2、封裝工藝流程

       圓(yuan)片減薄→圓(yuan)片切削(xue)→芯片粘結(jie)→等(deng)離(li)子清洗(xi)→引(yin)線(xian)鍵合→等(deng)離(li)子清洗(xi)→模塑封裝→裝配(pei)焊(han)料球(qiu)→回流焊(han)→表面(mian)打標→分(fen)離(li)→最終檢查→測(ce)試斗包裝。

二、FC-CBGA的封裝工藝流程

1、陶瓷基板

       FC-CBGA的(de)(de)基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)是(shi)多(duo)層(ceng)陶瓷基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)，它的(de)(de)制(zhi)作(zuo)是(shi)相(xiang)當(dang)困難(nan)的(de)(de)。因(yin)為基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)布線密度(du)高、間距窄、通孔也多(duo)，以及基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)共(gong)(gong)面性(xing)要(yao)求(qiu)較高等(deng)。它的(de)(de)主(zhu)要(yao)過程是(shi)：先將(jiang)多(duo)層(ceng)陶瓷片高溫共(gong)(gong)燒(shao)成(cheng)多(duo)層(ceng)陶瓷金(jin)屬化基(ji)(ji)(ji)(ji)片，再在基(ji)(ji)(ji)(ji)片上制(zhi)作(zuo)多(duo)層(ceng)金(jin)屬布線，然后進行電鍍等(deng)。在CBGA的(de)(de)組裝中(zhong)，基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)與芯片、PCB板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)CTE失配是(shi)造(zao)成(cheng)CBGA產品失效(xiao)的(de)(de)主(zhu)要(yao)因(yin)素。要(yao)改善這一情況，除采用CCGA結構(gou)外，還可使用另外一種陶瓷基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)--HITCE陶瓷基(ji)(ji)(ji)(ji)板(ban)(ban)(ban)。

2、封裝工藝流程

     ;  圓片(pian)凸點(dian)的(de)(de)制備(bei)->圓片(pian)切割->芯片(pian)倒裝(zhuang)及(ji)回(hui)流焊->底部填充導熱脂、密封焊料(liao)的(de)(de)分配->封蓋->裝(zhuang)配焊料(liao)球->回(hui)流焊->打標->分離->最終檢查(cha)->測試->包裝(zhuang)。

三、引線鍵合TBGA的封裝工藝流程

1、TBGA載帶

       TBGA的載帶通(tong)常是(shi)由聚酰(xian)亞胺材料制(zhi)成的。在(zai)制(zhi)作時，先(xian)在(zai)載帶的兩面(mian)進行覆銅，然(ran)后(hou)鍍鎳和鍍金，接著沖通(tong)孔和通(tong)孔金屬化及(ji)制(zhi)作出圖形。因(yin)為在(zai)這種引線鍵合(he)TBGA中，封裝(zhuang)熱沉又是(shi)封裝(zhuang)的加固(gu)體(ti)，也是(shi)管殼(ke)的芯(xin)腔基底，因(yin)此(ci)在(zai)封裝(zhuang)前(qian)先(xian)要使用壓敏(min)粘結(jie)劑將(jiang)載帶粘結(jie)在(zai)熱沉上。

2、封裝工藝流程

       圓(yuan)片(pian)減(jian)薄→圓(yuan)片(pian)切割(ge)→芯片(pian)粘結→清(qing)洗(xi)→引線鍵合→等離子(zi)清(qing)洗(xi)→液態密(mi)封劑灌(guan)封→裝配(pei)焊(han)料球→回流焊(han)→表(biao)面(mian)打標→分離→最終檢查→測(ce)試(shi)→包裝。

        BGA封(feng)裝(zhuang)(zhuang)流行的主要原因是由(you)于(yu)它(ta)的優勢(shi)明顯，封(feng)裝(zhuang)(zhuang)密度、電性能和成本上(shang)的獨特(te)優點讓其取代傳統封(feng)裝(zhuang)(zhuang)方式(shi)。

       ;隨著時間的(de)推(tui)移，BGA封(feng)裝會有(you)(you)越(yue)來越(yue)多的(de)改(gai)進，性價比將得(de)到進一(yi)步(bu)的(de)提高，BGA封(feng)裝有(you)(you)靈活(huo)性和優異(yi)的(de)性能，未來前(qian)景廣闊。

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