掩膜版：電子制造之底片，晶圓光刻之藍本。掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)是微電(dian)子(zi)制(zhi)造(zao)(zao)過(guo)程中的(de)圖(tu)形轉(zhuan)移(yi)母(mu)版(ban)(ban)，按照制(zhi)造(zao)(zao)材料可(ke)以(yi)(yi)分為石英掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)、蘇打掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)和(he)其(qi)他（菲林、凸版(ban)(ban)、干版(ban)(ban)），按照下游應用(yong)領域(yu)可(ke)以(yi)(yi)主(zhu)(zhu)要分為平板顯(xian)示掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)、半(ban)導體掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)、觸控掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)、電(dian)路板掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)。掩(yan)(yan)模(mo)版(ban)(ban)對于光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)工(gong)(gong)(gong)藝的(de)重要性不弱(ruo)于光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)機(ji)、光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠。在集(ji)成電(dian)路領域(yu)，光(guang)(guang)(guang)掩(yan)(yan)模(mo)的(de)功(gong)能(neng)類似于傳(chuan)統相機(ji)的(de)“底片(pian)”，在光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)機(ji)、光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠的(de)配合下，將光(guang)(guang)(guang)掩(yan)(yan)模(mo)上已設計好的(de)圖(tu)案，通過(guo)曝光(guang)(guang)(guang)和(he)顯(xian)影等工(gong)(gong)(gong)序轉(zhuan)移(yi)到襯(chen)底的(de)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠上，進行圖(tu)像復制(zhi)，從而(er)實(shi)現批(pi)量生產。國內掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)廠商的(de)上游材料以(yi)(yi)及設備嚴重依(yi)賴日韓廠商。生產制(zhi)造(zao)(zao)方面，掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)的(de)制(zhi)造(zao)(zao)工(gong)(gong)(gong)藝復雜，主(zhu)(zhu)要的(de)生產工(gong)(gong)(gong)藝包(bao)括：光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)、顯(xian)影、蝕刻(ke)(ke)、脫膜(mo)以(yi)(yi)及清洗

全球競爭格局:海外寡頭壟斷，國產廠商持續發力。

1)細分市場規模:膜版的主要(yao)應用領(ling)域(yu)(yu)為(wei)半導體與平板(ban)(ban)顯示。半導體領(ling)域(yu)(yu)，2022年全(quan)球光掩模(mo)版市(shi)場(chang)(chang)規模(mo)大約為(wei)58.11億(yi)美元;平板(ban)(ban)顯示領(ling)域(yu)(yu)，根據(ju)(ju)Omdia數據(ju)(ju)，全(quan)球平板(ban)(ban)顯示掩膜版2022年市(shi)場(chang)(chang)規模(mo)達1026億(yi)日(ri)元。

2)競爭格局:據(ju)SEMI的(de)數據(ju)統計，2019年全(quan)球芯(xin)片(pian)掩膜(mo)版市場中(zhong)，65%的(de)市場份(fen)額(e)由晶圓廠自行(xing)配套(tao)的(de)掩膜(mo)版工廠占據(ju)，剩余35%的(de)份(fen)額(e)則(ze)被獨立第三方掩膜(mo)工廠瓜分。

3)國產化進程:半導體領(ling)(ling)域(yu)，國(guo)(guo)產廠商暫時(shi)集中(zhong)在芯(xin)片封測用(yong)掩(yan)膜版以及100nm節點以上的(de)晶圓制(zhi)造(zao)用(yong)掩(yan)膜版，技術水平(ping)與國(guo)(guo)際領(ling)(ling)先的(de)企業有(you)較大(da)差距(ju):平(ping)板(ban)顯示(shi)領(ling)(ling)域(yu)，G11代線(xian)的(de)掩(yan)膜版產品(pin)已有(you)國(guo)(guo)產廠商突(tu)破壟斷(duan)，精度方(fang)面離國(guo)(guo)際最高水平(ping)還(huan)稍有(you)差距(ju)。

海外龍頭解析:掩膜版龍頭發展路徑。掩(yan)膜(mo)版龍(long)頭(tou)(tou)企(qi)業(ye)的(de)(de)崛起都有(you)規律可>循，海(hai)(hai)外龍(long)頭(tou)(tou)背后的(de)(de)發(fa)展共性都是企(qi)業(ye)成長(chang)的(de)(de)必經之路。通過復盤三大(da)海(hai)(hai)外龍(long)頭(tou)(tou)的(de)(de)成長(chang)軌跡(ji)，我們總結了龍(long)頭(tou)(tou)公司掩(yan)膜(mo)版業(ye)務的(de)(de)發(fa)展思(si)路供國內公司參考(kao)

1)與晶圓(yuan)廠共同研發新產(chan)品;

2)建立全球化的生產基地，重(zhong)視(shi)中國市場(chang)機遇;

3)持續并購(gou)整合建立全球銷(xiao)售(shou)網絡，加(jia)快研(yan)發速度。

國產替代機遇：隨(sui)著我(wo)國半(ban)導(dao)體(ti)(ti)產業(ye)占全球比(bi)重的(de)(de)(de)逐步(bu)提升，我(wo)國半(ban)導(dao)體(ti)(ti)掩(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)市(shi)場規模(mo)也逐步(bu)擴大。目前國內廠(chang)商已量(liang)產250nm工藝(yi)(yi)(yi)節(jie)點的(de)(de)(de)6英寸和(he)8英寸半(ban)導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片用(yong)掩(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)，正在推(tui)進180nm半(ban)導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片用(yong)掩(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)的(de)(de)(de)客戶測試認證，同步(bu)開展130nm-65nm半(ban)導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片用(yong)掩(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)的(de)(de)(de)工藝(yi)(yi)(yi)研(yan)發和(he)28nm半(ban)導(dao)體(ti)(ti)芯(xin)片所需的(de)(de)(de)掩(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)工藝(yi)(yi)(yi)開發規劃(hua)，逐步(bu)縮小與海外(wai)龍頭(tou)企業(ye)的(de)(de)(de)技術(shu)差距，加速(su)國產替代進度。我(wo)們認為國內掩(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)行(xing)業(ye)的(de)(de)(de)景氣度有(you)(you)望持續旺盛，國產廠(chang)商有(you)(you)望迎來業(ye)績的(de)(de)(de)高(gao)速(su)增(zeng)長。

1 掩膜版:電子制造之底片，晶圓光刻之藍本

1.1 掩膜版:光刻工藝中必不可少的圖形轉移母版

掩(yan)模(mo)版(ban)(ban)，又稱光(guang)掩(yan)模(mo)版(ban)(ban)、光(guang)置等(deng)，是微電子制(zhi)造過程(cheng)中的(de)圖(tu)形轉(zhuan)移(yi)母版(ban)(ban),是承載圖(tu)形設計和(he)(he)工藝技(ji)術等(deng)知識產(chan)(chan)權信息的(de)載體，是平板(ban)(ban)顯示、半導體、觸控(kong)、電路(lu)(lu)板(ban)(ban)等(deng)行(xing)業(ye)生產(chan)(chan)制(zhi)造過程(cheng)中重要的(de)關(guan)鍵(jian)材料。掩(yan)膜版(ban)(ban)的(de)作(zuo)(zuo)用(yong)是將設計者的(de)電路(lu)(lu)圖(tu)形通過曝光(guang)的(de)方式轉(zhuan)移(yi)到下游行(xing)業(ye)的(de)基板(ban)(ban)或(huo)晶圓上，從而實現批量(liang)化(hua)生產(chan)(chan)。作(zuo)(zuo)為光(guang)刻復制(zhi)圖(tu)形的(de)基準和(he)(he)藍本，掩(yan)膜版(ban)(ban)是連接工業(ye)設計和(he)(he)工藝制(zhi)造的(de)關(guan)鍵(jian)，掩(yan)膜版(ban)(ban)的(de)精度和(he)(he)質(zhi)量(liang)水(shui)平會直接影響(xiang)最終下游制(zhi)品(pin)的(de)良率，

掩模(mo)版是光(guang)刻(ke)(ke)(ke)工(gong)藝(yi)中的(de)關鍵耗材，對于光(guang)刻(ke)(ke)(ke)工(gong)藝(yi)的(de)重要(yao)性不弱于光(guang)刻(ke)(ke)(ke)機(ji)、光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠。在集成電路領域(yu)，光(guang)掩模(mo)的(de)功能類似于傳統相機(ji)的(de)“底(di)片“，在光(guang)刻(ke)(ke)(ke)機(ji)、光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠的(de)配合下(xia)，將光(guang)掩模(mo)上(shang)已設計好的(de)圖案，通過曝光(guang)和(he)顯影等(deng)工(gong)序轉移到襯底(di)的(de)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠上(shang)，進行(xing)圖像復制，從而(er)實現(xian)批(pi)量生(sheng)產。

1.2 掩膜版的技術更迭及三種分類方式

1.2.1 掩膜版的技術迭代

掩(yan)(yan)膜(mo)版產(chan)品(pin)誕(dan)生(sheng)至今(jin)(jin)約 60 多年，是電子制造行業中使用(yong)(yong)的生(sheng)產(chan)制具。由于(yu)(yu)掩(yan)(yan)膜(mo)版技術演變較(jiao)慢，下游運用(yong)(yong)廣泛(fan)且不同(tong)行業對掩(yan)(yan)膜(mo)版的性能(neng)、成本等要求不同(tong)，不同(tong)代別(bie)的產(chan)品(pin)存(cun)續交疊期長，如(ru)第二(er)代菲林掩(yan)(yan)膜(mo)版誕(dan)生(sheng)于(yu)(yu)二(er)十世紀 60年代初(chu)，至今(jin)(jin)仍在(zai) PCB、FPC、TN/STN 等行業使用(yong)(yong)。

掩膜(mo)版(ban)產品優(you)勢主(zhu)要(yao)是其在轉移電路(lu)圖形(xing)過(guo)程中的精確性(xing)(xing)和可靠(kao)性(xing)(xing)，第(di)五(wu)代(dai)掩膜(mo)版(ban)產品擁有較(jiao)高的光學透過(guo)率、較(jiao)低的熱膨脹系(xi)數(shu)、良好(hao)的平整性(xing)(xing)和耐磨(mo)性(xing)(xing)以及能夠實現較(jiao)高的精度被廣(guang)泛運用于各個行業

未來潛在的風險是(shi)無掩膜技術(shu)的大規模(mo)使用，無掩膜技術(shu)因僅能滿足(zu)(zu)精度(du)要求相對(dui)較低的行業(ye)(ye)(如 PCB 板)中圖(tu)形(xing)轉移的需求，且其生產效(xiao)率低下，而無法(fa)滿足(zu)(zu)對(dui)圖(tu)形(xing)轉移精度(du)要求高(gao)以及對(dui)生產效(xiao)率有要求的行業(ye)(ye)運(yun)用，因此不(bu)存在被快速(su)迭代(dai)的風險。

1.2.2 掩膜版按基板材料劃分

掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)(ban)最(zui)重要(yao)(yao)的原材料是掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)基(ji)(ji)板(ban)，，光掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)基(ji)(ji)板(ban)作為(wei)(wei)掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)(ban)圖形的載(zai)體(ti)，對掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)(ban)產(chan)(chan)品(pin)的精(jing)度(du)和(he)(he)品(pin)質起到重要(yao)(yao)作用。根據基(ji)(ji)板(ban)材料的不同，產(chan)(chan)品(pin)可以分為(wei)(wei)石(shi)英掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)(ban)、蘇(su)打(da)掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)(ban)和(he)(he)其(qi)他(ta)(干版(ban)(ban)(ban)、凸(tu)版(ban)(ban)(ban)和(he)(he)菲林等)。其(qi)中(zhong)，以高純石(shi)英玻(bo)璃(li)擁有光學(xue)透(tou)(tou)過率高，平(ping)坦度(du)高、熱膨脹系數低(di)的特點，主(zhu)要(yao)(yao)用于(yu)(yu)高精(jing)度(du)掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)(ban)產(chan)(chan)品(pin)，產(chan)(chan)品(pin)應(ying)用領(ling)(ling)域(yu)為(wei)(wei)平(ping)板(ban)顯(xian)示及半導體(ti)制(zhi)造。相(xiang)比(bi)于(yu)(yu)石(shi)英玻(bo)璃(li)，蘇(su)打(da)玻(bo)璃(li)的光學(xue)透(tou)(tou)過率稍低(di)，熱膨脹系數更高，平(ping)坦度(du)更低(di)，通常運(yun)用于(yu)(yu)中(zhong)低(di)精(jing)度(du)掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)(ban)產(chan)(chan)品(pin)，因此蘇(su)打(da)掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)(ban)單價(jia)成本顯(xian)著低(di)于(yu)(yu)石(shi)英掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)(ban)，產(chan)(chan)品(pin)應(ying)用領(ling)(ling)域(yu)為(wei)(wei)平(ping)板(ban)顯(xian)示、IC 封(feng)裝、觸控板(ban)、電路板(ban)。其(qi)余材料被(bei)用于(yu)(yu)低(di)精(jing)度(du)掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)版(ban)(ban)(ban)產(chan)(chan)品(pin)，主(zhu)要(yao)(yao)應(ying)用領(ling)(ling)域(yu)為(wei)(wei)液晶(jing)顯(xian)示和(he)(he)電路板(ban)制(zhi)造。

1.2.3 光掩膜版按照應用領域劃分

從下游應用領(ling)(ling)域來看，光掩膜(mo)(mo)版(ban)(ban)分(fen)為(wei)(wei)平板(ban)(ban)顯(xian)示掩膜(mo)(mo)版(ban)(ban)和半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)掩膜(mo)(mo)版(ban)(ban)。其中(zhong)平板(ban)(ban)顯(xian)示掩膜(mo)(mo)版(ban)(ban)根(gen)據不同的(de)面板(ban)(ban)尺寸被(bei)分(fen)為(wei)(wei)多個世(shi)代(dai)。目(mu)前，比較(jiao)主流的(de)世(shi)代(dai)有G4、G5、G6、G8.5、G8.6 以及(ji) G11。半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)掩膜(mo)(mo)版(ban)(ban)可以進一步根(gen)據具體(ti)(ti)應用領(ling)(ling)域區分(fen)為(wei)(wei):集成電(dian)(dian)路制(zhi)造、集成電(dian)(dian)路封裝、半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)器(qi)件(jian)制(zhi)造，包(bao)括分(fen)立器(qi)件(jian)、光電(dian)(dian)子器(qi)件(jian)、傳(chuan)感器(qi)及(ji)微(wei)機電(dian)(dian)(MEMS)、LED 芯片外(wai)延片制(zhi)造等。觸控掩膜(mo)(mo)版(ban)(ban)則被(bei)用于觸摸屏(ping)的(de)制(zhi)造過程，而電(dian)(dian)路板(ban)(ban)掩膜(mo)(mo)版(ban)(ban)主要(yao)用于PCB及(ji)FPC的(de)制(zhi)造過程。在(zai)平板(ban)(ban)顯(xian)示行業(ye)以外(wai)的(de)其它領(ling)(ling)域，掩膜(mo)(mo)版(ban)(ban)沒有世(shi)代(dai)線(xian)的(de)劃分(fen)，而是根(gen)據不同的(de)技術要(yao)求和產(chan)品特性進行分(fen)類(lei)。

1.2.4 掩膜版按光刻工藝劃分

根據光刻工藝所用到的不同光源，常見的掩膜版大致分為:二元掩膜版、相移掩膜版、EUV 掩膜版。二元掩(yan)膜版(ban)是(shi)指由透光(guang)與不透光(guang)兩種(zhong)部分組成的(de)光(guang)掩(yan)模版(ban)，是(shi)最(zui)早出現、也是(shi)使(shi)用最(zui)多(duo)的(de)一類(lei)掩(yan)模版(ban)，被(bei)廣泛用于 365nm(l線)至193nm 的(de)浸(jin)沒式光(guang)刻。

相移掩膜版是指在相鄰的透光縫隙處設置厚度與 1/2 光波長成正比的相移層的掩膜產品。這種產(chan)品的(de)(de)誕(dan)生主要由于集(ji)成電(dian)路設計的(de)(de)高(gao)速發(fa)展，設計圖形(xing)的(de)(de)尺寸日益(yi)縮小所導致的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)學(xue)鄰(lin)近效應越來(lai)越明(ming)顯以及由于曝(pu)光(guang)(guang)(guang)(guang)波長的(de)(de)短化在改善(shan)清晰(xi)度(du)的(de)(de)同時會減(jian)少焦點(dian)深度(du)，進(jin)而降低工藝過程的(de)(de)穩(wen)定(ding)性(xing)。因此，為了(le)保(bao)(bao)證(zheng)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻圖形(xing)的(de)(de)精(jing)確性(xing)以及保(bao)(bao)持焦點(dian)深度(du)，相(xiang)(xiang)移掩(yan)(yan)模技術被越來(lai)越多的(de)(de)采用。相(xiang)(xiang)移掩(yan)(yan)膜技術使(shi)透過相(xiang)(xiang)移層(ceng)的(de)(de)曝(pu)光(guang)(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)(guang)線(xian)與其他(ta)透射光(guang)(guang)(guang)(guang)產(chan)生180 度(du)的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)相(xiang)(xiang)位差(cha)，使(shi)在相(xiang)(xiang)鄰(lin)透光(guang)(guang)(guang)(guang)縫隙中間點(dian)上的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)強互相(xiang)(xiang)抵(di)消或(huo)減(jian)弱，進(jin)而控(kong)制光(guang)(guang)(guang)(guang)的(de)(de)相(xiang)(xiang)位及透過率，改善(shan)對晶圓曝(pu)光(guang)(guang)(guang)(guang)時的(de)(de)分(fen)辨率及焦點(dian)深度(du)，最終提高(gao)了(le)復刻特性(xing)的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)掩(yan)(yan)模。

EUV 掩膜版是指在 EUV 光刻期間使用的新穎掩膜版。由(you)于 EUV 的(de)(de)波長很(hen)短容易被所有材(cai)料(liao)吸收,因此不(bu)能使用(yong)像透鏡這樣的(de)(de)折射(she)元件而是根據布拉格定律通過多(duo)層(ML)結(jie)構來反射(she)光束。EUV掩膜(mo)版常用(yong)于7nm、5nm等先進制(zhi)程，所以 EUV 掩膜(mo)版的(de)(de)工(gong)藝問題會非常難(nan)以發現并目十分致命。

1.3 掩膜版產業鏈:材料設備依賴進口，工藝復雜壁壘高

掩膜(mo)版(ban)的(de)上游包括(kuo)制作材料以(yi)及掩膜(mo)設(she)備。掩膜(mo)版(ban)的(de)下游應(ying)用主要(yao)(yao)是(shi)平(ping)板(ban)(ban)顯示(shi)、半導(dao)體、觸控(kong)和電(dian)路板(ban)(ban)等，是(shi)必不(bu)可(ke)少(shao)的(de)關鍵(jian)材料之一。平(ping)板(ban)(ban)顯示(shi)、半導(dao)體等中游電(dian)子元器件(jian)廠(chang)商的(de)終端應(ying)用主要(yao)(yao)包括(kuo)消(xiao)費電(dian)子(電(dian)視、手機、筆記本電(dian)腦(nao)平(ping)板(ban)(ban)電(dian)腦(nao)、可(ke)穿戴設(she)備)、家用電(dian)器、車載電(dian)子、網(wang)絡通信、LED 照明、物聯網(wang).醫療電(dian)子以(yi)及工控(kong)等領域。

1.3.1 上游材料及設備嚴重依賴進口，海外企業占據主導

掩模版廠商的主要原材料(liao)(liao)為石英基板(ban)、蘇打(da)基板(ban)和光學(xue)(xue)膜(mo)等。石英基板(ban)和光學(xue)(xue)膜(mo)技(ji)術(shu)難度(du)較大，供(gong)應商主要集中于日本、中國臺灣等地，原材料(liao)(liao)存(cun)在(zai)一定的進口依賴。

目(mu)前所使用(yong)(yong)的(de)掩模版襯底材(cai)料(liao)(liao)合(he)(he)成(cheng)(cheng)石英占比最大(da)。被用(yong)(yong)來(lai)制作光掩膜(mo)版的(de)玻(bo)璃包括合(he)(he)成(cheng)(cheng)石英、硼硅(gui)玻(bo)璃和蘇(su)打玻(bo)璃，其中合(he)(he)成(cheng)(cheng)石英最為化學穩(wen)定，具有(you)高硬度(du)、低膨脹系數和透光性強等優勢，適(shi)用(yong)(yong)于(yu)較高精度(du)要求的(de)產(chan)品生產(chan)，廣泛應用(yong)(yong)于(yu) LSI 用(yong)(yong)光掩膜(mo)、FPD 用(yong)(yong)大(da)型(xing)掩膜(mo)的(de)制造。但是石英成(cheng)(cheng)本高，現(xian)在傾向于(yu)發展高質(zhi)(zhi)量的(de)合(he)(he)成(cheng)(cheng)石英材(cai)料(liao)(liao)，它能(neng)夠提供(gong)寬的(de)光投射區(qu)域、低的(de)雜(za)質(zhi)(zhi)含量和少的(de)物理(li)缺陷，并且隨著低膨脹率和深 UV 的(de)要求變得逐漸廣泛。

目前(qian)，較常(chang)(chang)被使用的(de)掩(yan)膜(mo)(mo)版基板(ban)(ban)材(cai)(cai)料有石英(ying)玻璃和蘇打(da)玻璃兩種。隨著(zhu)掩(yan)膜(mo)(mo)版精度的(de)提升，主要表(biao)現為對(dui)基板(ban)(ban)材(cai)(cai)料和生產(chan)工(gong)藝(yi)(yi)的(de)進(jin)一步升級。在基板(ban)(ban)材(cai)(cai)料上石英(ying)基板(ban)(ban)與(yu)蘇打(da)基板(ban)(ban)相比，具有高透(tou)過率、高平(ping)坦(tan)度、低膨(peng)脹系數等(deng)優點，通常(chang)(chang)應(ying)用于(yu)對(dui)產(chan)品圖形精度要求(qiu)較高的(de)行業，因此基板(ban)(ban)材(cai)(cai)料逐漸由蘇打(da)基板(ban)(ban)轉(zhuan)為石英(ying)基板(ban)(ban)。生產(chan)工(gong)藝(yi)(yi)方(fang)面，隨著(zhu)集成電(dian)路技術節點推動，對(dui)于(yu)掩(yan)膜(mo)(mo)版 CD 精度、TP 精度、套合精度控(kong)制、缺(que)陷管控(kong)等(deng)環節提出了更高的(de)要求(qiu)。

石英玻璃在透光率以及化(hua)學性(xing)能上(shang)優(you)(you)于(yu)其余(yu)掩膜(mo)基材。通(tong)常溫度(du)和(he)(he)濕度(du)的改變(bian)(bian)將引起材料一定程度(du)上(shang)的形變(bian)(bian)，從而造成掩膜(mo)板(ban)上(shang)圖像的細小(xiao)位移及線寬(kuan)的改變(bian)(bian)。石英玻璃由于(yu)其在熱(re)膨脹和(he)(he)硬度(du)等(deng)物理(li)屬性(xing)上(shang)的優(you)(you)勢(shi)，使得它對自然環境的影響(xiang)如溫度(du)，濕度(du)，壓力有比較大(da)的容忍性(xing)。這(zhe)意(yi)味著石英掩膜(mo)板(ban)能保持化(hua)學性(xing)質穩定和(he)(he)在特定波長(chang)光源照射下的高(gao)穿(chuan)透度(du)。

遮光(guang)(guang)(guang)膜(mo)(mo)(mo)材(cai)料主要(yao)(yao)包括:金屬鉻、硅(gui)、氧化(hua)鐵、硅(gui)化(hua)鉬(mu)等，遮光(guang)(guang)(guang)膜(mo)(mo)(mo)材(cai)料的(de)選擇主要(yao)(yao)取(qu)決于產品(pin)的(de)圖形精度、透(tou)過率(lv)(lv)、耐化(hua)學(xue)品(pin)性能(neng)等因(yin)素。其中，鉻是(shi)最常(chang)用(yong)的(de)遮光(guang)(guang)(guang)膜(mo)(mo)(mo)材(cai)料，根據不同的(de)層(ceng)數，可以應(ying)用(yong)于投影曝光(guang)(guang)(guang)機用(yong)光(guang)(guang)(guang)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)、LSI用(yong)光(guang)(guang)(guang)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)、FPD 用(yong)光(guang)(guang)(guang)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)和 Stepper 用(yong) Reticle 等領域(yu)。但(dan)(dan)是(shi)鉻也有(you)一些缺點(dian)，如(ru)反(fan)射率(lv)(lv)高(gao)和膜(mo)(mo)(mo)形成(cheng)工(gong)藝復(fu)雜等。硅(gui)是(shi)一種 See Through 型的(de)遮光(guang)(guang)(guang)膜(mo)(mo)(mo)材(cai)料，適合手動對(dui)位操作，但(dan)(dan)其微加工(gong)性能(neng)不如(ru)鉻，因(yin)此只(zhi)用(yong)于低端硬質光(guang)(guang)(guang)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)。氧化(hua)鐵和硅(gui)化(hua)鉬(mu)是(shi)兩種特殊的(de)遮光(guang)(guang)(guang)膜(mo)(mo)(mo)材(cai)料，前者沒有(you)明顯的(de)優(you)缺點(dian)，后者具有(you) Half Tone 特性優(you)異的(de)優(you)點(dian)，但(dan)(dan)耐化(hua)學(xue)品(pin)性能(neng)差，主要(yao)(yao)用(yong)于 LSI用(yong) Half Tone Mask。

光掩膜版的性能也會因遮光膜的結構產生差異。對(dui)于普(pu)通掩(yan)膜(mo)版，為了滿足i線(365nm 波長)和 g 線(436nm 波長)光(guang)刻要(yao)求，它(ta)的(de)膜(mo)層(ceng)(ceng)厚(hou)度(du)要(yao)達到(dao) 100nm左右。然而，傳統掩(yan)膜(mo)版存在固有缺點會導致(zhi)在曝光(guang)之后(hou)得到(dao)的(de)線條出現邊緣嚴不(bu)齊整的(de)現象，目前普(pu)遍采用的(de)方法是在鉻表面沉積一(yi)層(ceng)(ceng)幾(ji)十(shi)納米(mi)的(de)三氧化二鉻不(bu)過(guo)這(zhe)樣會增(zeng)加膜(mo)層(ceng)(ceng)的(de)厚(hou)度(du)且工藝相對(dui)復雜。

半色調掩膜版(halftone mask)是將半(ban)透(tou)(tou)明(ming)(ming)的(de)遮(zhe)(zhe)光膜(mo)(mo)貼在光掩模(mo)上使得光在透(tou)(tou)過(guo)物質時傳播速(su)度降低，相位(wei)隨之變(bian)化(hua)，進而局部改變(bian)圖案部分的(de)相位(wei)，通過(guo)半(ban)透(tou)(tou)明(ming)(ming)的(de)遮(zhe)(zhe)光膜(mo)(mo)發生相位(wei)變(bian)化(hua)的(de)光、與未通過(guo)半(ban)透(tou)(tou)明(ming)(ming)的(de)遮(zhe)(zhe)光膜(mo)(mo)相位(wei)未發生變(bian)化(hua)的(de)光之間的(de)干涉(she)現象(xiang)提(ti)高(gao)分辨(bian)率。

掩膜設備通常為采用激光為輻射源的直寫光刻機，是制約產能瓶頸的重要因素。掩膜設(she)備(bei)的主要供(gong)應商(shang)有瑞(rui)典 Mycronic、德國 Heidelberg 等(deng)企(qi)業，其(qi)中(zhong)瑞(rui)典 Mycronic處(chu)于全(quan)球(qiu)領先(xian)地位。目前(qian)高端的平板顯(xian)示用(yong)光刻機出瑞(rui)典 Mycronic生(sheng)產，全(quan)球(qiu)主要平板顯(xian)示用(yong)掩膜版制造商(shang)對其(qi)生(sheng)產的設(she)備(bei)都存在較(jiao)高程度依賴。

國(guo)內企業(ye)中(zhong)，芯(xin)碁微(wei)(wei)裝(zhuang)、江蘇(su)影(ying)速(su)、天津芯(xin)碩(shuo)等(deng)企業(ye)能(neng)夠實現(xian)此類設備的(de)產業(ye)化，芯(xin)碁微(wei)(wei)裝(zhuang)在激光掩(yan)(yan)膜版制(zhi)版領域(yu)的(de)技術水平(ping)已經能(neng)夠與德國(guo) Heidelberg進行競爭。通常用于判斷掩(yan)(yan)膜設備技術水平(ping)的(de)關鍵指標為:最(zui)小線寬、套刻精度(du)產能(neng)效率和 CD 均勻度(du)等(deng)。

從(cong)掩模(mo)版制造的核心原(yuan)材(cai)料和(he)設備來看，高(gao)精度半導體掩模(mo)版核心原(yuan)材(cai)料石英基板仍被日韓企業(ye)壟斷(duan)，設備仍主(zhu)要依賴進口。

1.3.2 中游制造技術壁壘高，國產廠商奮起直追

掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)商(shang)(shang)分為(wei)兩種(zhong)，一(yi)種(zhong)是(shi)英特爾、臺(tai)積(ji)電(dian)、中(zhong)(zhong)芯國(guo)際等代工(gong)廠擁(yong)有自制(zhi)(zhi)(zhi)掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)業(ye)務，其產能(neng)基本都是(shi)自產自銷;另一(yi)種(zhong)就是(shi)獨(du)立于(yu)代工(gong)廠的第三(san)方掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)商(shang)(shang)，例如美國(guo)福尼(ni)克斯、日本 DNP、凸版(ban)(ban)印刷，以(yi)及中(zhong)(zhong)國(guo)大陸的清溢光電(dian)、路維光電(dian)等，這類(lei)廠商(shang)(shang)主要銷售(shou)的是(shi)成熟制(zhi)(zhi)(zhi)程(cheng)掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)(ban)。

掩膜版制造工藝復雜，可以分為前道工藝和后道工藝。掩模版(ban)產(chan)品的工藝流程(cheng)主要包括(kuo) CAM 圖檔處理、光阻涂布、激光光刻、顯(xian)影、蝕刻、脫膜(mo)、清(qing)洗、宏觀檢(jian)查、自動光學檢(jian)查、精(jing)度測量、缺陷(xian)處理、貼光學膜(mo)等環節。掩膜(mo)版(ban)的具體生產(chan)流程(cheng)如下所(suo)示:

1、CAM(圖(tu)檔(dang)(dang)處理):通過(guo)電腦軟(ruan)件處理，將產(chan)品(pin)(pin)圖(tu)檔(dang)(dang)轉化成(cheng)為(wei)光刻(ke)機能(neng)夠正(zheng)常識別的格式;同(tong)時對產(chan)品(pin)(pin)原始圖(tu)形/圖(tu)檔(dang)(dang)進行(xing)一定(ding)程度(du)的設計、排布、特(te)殊補正(zheng)(如(ru) DCM、OPC)等(deng)，對產(chan)品(pin)(pin)圖(tu)形及后續工序起到一定(ding)程度(du)的補償、優化等(deng)作用。

2、光阻涂布:在(zai)已經沉(chen)積了鉻膜的(de)基板上，涂布一(yi)定厚度和均勻性的(de)光阻通過(guo)烘(hong)烤的(de)方式使(shi)光阻固(gu)化(hua)，使(shi)得(de)(de)基板能夠在(zai)特定波(bo)長的(de)光束下(xia)發生光化(hua)學反應后續通過(guo)顯影、蝕刻等化(hua)學制程(cheng)得(de)(de)到(dao)與(yu)設(she)計圖(tu)形(xing)一(yi)致的(de)鉻膜圖(tu)形(xing)。

3、激(ji)(ji)光(guang)光(guang)刻:將(jiang)設計(ji)圖(tu)形(xing)的(de)數據(ju)轉換成激(ji)(ji)光(guang)直寫(xie)(xie)系統控制數據(ju)，由(you)計(ji)算機控制高(gao)精度激(ji)(ji)光(guang)束掃描(miao)，利用一定波長(chang)的(de)激(ji)(ji)光(guang)，對涂(tu)有光(guang)阻的(de)掩膜(mo)基板按照(zhao)設計(ji)的(de)圖(tu)檔(dang)進(jin)行激(ji)(ji)光(guang)直寫(xie)(xie)，從而把(ba)設計(ji)圖(tu)形(xing)直接轉移到掩膜(mo)上，

4、顯影(ying):利用化學藥液(ye)(顯影(ying)液(ye))與(yu)光(guang)阻的相互作(zuo)用，將曝光(guang)部分的光(guang)阻去(qu)除(chu)，未曝光(guang)部分與(yu)顯影(ying)液(ye)不反應而得(de)以保留，從而得(de)到(dao)與(yu)設計圖形一致(zhi)的光(guang)阻圖形。

5、蝕刻:經過顯影(ying)工序后(hou)，利(li)用化學藥液(蝕刻液)與鉻膜(mo)的化學反(fan)(fan)應將未(wei)被光阻保(bao)護(hu)的鉻膜(mo)去(qu)除(chu)，有光阻保(bao)護(hu)的鉻膜(mo)不(bu)與蝕刻液反(fan)(fan)應而得(de)以保(bao)留，

6、脫膜(mo):經過蝕刻工序后(hou)，利(li)用化學藥液與(yu)光阻的化學反應，將掩(yan)膜(mo)版上(shang)殘留(liu)的部(bu)分光阻全(quan)部(bu)去除，最(zui)終得(de)到與(yu)設計圖形一致的鉻膜(mo)圖形。

7、清(qing)洗:利用化學藥液與純(chun)水對掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)進行(xing)清(qing)洗，得到(dao)表面具有一(yi)定清(qing)潔度(du)規格的(de)掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)產品(pin)。

8、宏觀檢查:利用不同光源、光強的燈源，對掩膜版表面進(jin)行宏觀(目視)檢查，以確定掩膜版表面是否(fou)存在(zai)缺陷(xian)(Defect)、條紋(Mura)、顆(ke)粒(Particle)等不良。

9、自動光(guang)學檢(jian)査(AOI 檢(jian)查):利用一定(ding)波(bo)長、光(guang)強(qiang)的(de)(de)光(guang)源(yuan)獲(huo)取被測產(chan)品(pin)的(de)(de)圖(tu)(tu)形，通(tong)過(guo)傳感器(攝像(xiang)機)獲(huo)得檢(jian)測圖(tu)(tu)形的(de)(de)照明圖(tu)(tu)像(xiang)并數字化，然(ran)后通(tong)過(guo)相應的(de)(de)邏輯及(ji)軟件算(suan)法進(jin)行比(bi)較、分析和判斷，以(yi)檢(jian)查產(chan)品(pin)表面缺(que)陷(Defect)，如線(xian)(xian)條斷線(xian)(xian)(Open)、線(xian)(xian)條短接(Short)、白凸(Intrusion)、圖(tu)(tu)形缺(que)失等。

10、精(jing)度(du)(du)測(ce)量(liang)與校(xiao)準:利用高(gao)精(jing)度(du)(du)測(ce)量(liang)設備，對(dui)掩(yan)膜版圖形的(de)線/間(CD)精(jing)度(du)(du)及均勻(yun)性、總長(TP)精(jing)度(du)(du)、位置(Registration)精(jing)度(du)(du)等進(jin)行測(ce)量(liang)，以確認產品精(jing)度(du)(du)指(zhi)標是否在要(yao)求(qiu)規(gui)格內(nei);同(tong)時利用測(ce)量(liang)設備的(de)測(ce)量(liang)結果和(he)相關(guan)算法對(dui)掩(yan)膜版、設備平(ping)臺進(jin)行校(xiao)正和(he)補償，滿(man)足(zu)產品要(yao)求(qiu)。

11、缺(que)(que)陷(xian)處理:針(zhen)對斷線、白(bai)凸及圖形(xing)缺(que)(que)失等缺(que)(que)陷(xian)，采用(yong)激光(guang)誘導化(hua)學(xue)氣(qi)相沉積(LCVD)，在掩(yan)膜基板(ban)上(shang)沉積形(xing)成薄(bo)膜進行修復;針(zhen)對鉻殘、短(duan)路(lu)等缺(que)(que)陷(xian)，采用(yong)一定能量激光(guang)進行切除。

12、貼(tie)光學膜(mo):采用聚酯材料制成(cheng)的(de)(de)光學膜(mo)(Pelicle)，將其貼(tie)附在掩膜(mo)版的(de)(de)表(biao)面(mian)，起到保(bao)護(hu)掩膜(mo)版表(biao)面(mian)不受(shou)灰塵、臟污(wu)、顆粒等(deng)污(wu)染(ran)的(de)(de)作(zuo)用。

在上述工序中，掩(yan)膜版最重(zhong)要的生產過(guo)程是通過(guo)光刻(ke)工藝、顯影、蝕刻(ke)、脫膜、清洗等工序將微納(na)米級的精(jing)細(xi)電路(lu)圖形刻(ke)制于掩(yan)膜基(ji)板上。

掩膜版行業專業性較強、技術壁壘較高。在(zai)眾多(duo)應用領(ling)(ling)域(yu)中，半(ban)(ban)(ban)導體掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)技術(shu)要求(qiu)最高且(qie)工藝(yi)難度大，長期被國(guo)外龍頭企業所壟(long)斷。目前領(ling)(ling)先的(de)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)廠商有(you)福尼克斯、SKE、HOYA、Toppan、臺灣光(guang)(guang)(guang)(guang)罩等。其中，LG-IT 和(he)(he) SKE 的(de)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)產(chan)(chan)(chan)品(pin)(pin)主(zhu)要布(bu)局(ju)在(zai)平板顯示掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)領(ling)(ling)域(yu)，均擁有(you) G11 掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)生(sheng)產(chan)(chan)(chan)線(xian);Toppan和(he)(he)臺灣光(guang)(guang)(guang)(guang)罩的(de)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)產(chan)(chan)(chan)品(pin)(pin)主(zhu)要布(bu)局(ju)在(zai)半(ban)(ban)(ban)導體掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)領(ling)(ling)域(yu);福尼克斯、DNP.HOYA 的(de)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)產(chan)(chan)(chan)品(pin)(pin)同時布(bu)局(ju)在(zai)平板顯示掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)領(ling)(ling)域(yu)和(he)(he)半(ban)(ban)(ban)導體掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)領(ling)(ling)域(yu):清溢(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)電和(he)(he)路(lu)(lu)維(wei)光(guang)(guang)(guang)(guang)電的(de)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)產(chan)(chan)(chan)品(pin)(pin)種類多(duo)樣，應用領(ling)(ling)域(yu)廣泛，包括平板顯示掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)、半(ban)(ban)(ban)導體掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)、觸控掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)和(he)(he)電路(lu)(lu)板掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)等，路(lu)(lu)維(wei)光(guang)(guang)(guang)(guang)電擁有(you) G11 掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)版(ban)生(sheng)產(chan)(chan)(chan)線(xian).

平板顯示(shi)掩(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)版趨于(yu)大尺(chi)寸(cun)化和高(gao)精度化。自 2007年液(ye)晶電視開始(shi)占據主流市場(chang)后，其平均(jun)尺(chi)寸(cun)大約按(an)照每年增加(jia)1英(ying)寸(cun)的(de)(de)速(su)度平穩增長。屏幕尺(chi)寸(cun)趨向(xiang)大尺(chi)寸(cun)化會(hui)(hui)導致(zhi)掩(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)版尺(chi)寸(cun)也相應(ying)大型(xing)化。隨著(zhu)每英(ying)寸(cun)像(xiang)素數的(de)(de)不斷(duan)提高(gao)，也會(hui)(hui)帶來(lai)對平板顯示(shi)掩(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)版的(de)(de)曝光分辨率、缺陷尺(chi)寸(cun)、均(jun)勻度等(deng)參(can)數要求(qiu)的(de)(de)提升(sheng)。高(gao)分辨率終端顯示(shi)產品的(de)(de)不斷(duan)滲透與發展(zhan)必然(ran)會(hui)(hui)帶動掩(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)版朝著(zhu)高(gao)精細化的(de)(de)方(fang)向(xiang)發展(zhan)。

先進制程的半導體掩膜版產品占比提升，掩膜版用量也隨之增長。隨著半導體(ti)技術節點(dian)由原先(xian)的 130nm、100nm、90nm、65nm 等(deng)逐步發展(zhan)到 45nm、28nm、14nm、7nm、4nm 等(deng)，與之相對應晶圓制造及IC封裝對掩(yan)(yan)膜版產品提出更高(gao)的要(yao)求。具體(ti)來說(shuo)，下游(you)廠(chang)商將對掩(yan)(yan)膜版的半導體(ti)層、光刻分辨率(lv)、最小過(guo)孔、CD 均勻(yun)性(xing)、套合精(jing)度、缺(que)陷大(da)小、潔凈(jing)度均提出了更高(gao)的技術標(biao)準(zhun)，

掩膜版廠商陸續向上游產業鏈延伸，以此降低原材料采購成本和控制終端產品質量。境外的廠商例如(ru) HOYA、LG-IT 等(deng)(deng)企業(ye)(ye)已經具備(bei)了基(ji)板研磨/拋光、鍍鉻及光阻涂布等(deng)(deng)掩膜版全(quan)產業(ye)(ye)鏈的生產能力。

2 全球競爭格局:海外寡頭壟斷，國產廠商持續發

2.1 市場規模:全球市場穩步增長，中國市場占比提升

掩膜版應用十分廣泛，在涉及光刻工藝的領域都需要使用掩膜版，如IC、平版顯示器、印刷電路版、微機電系統等。全(quan)(quan)球光掩(yan)膜(mo)板規模(mo)近十年表現為穩(wen)步增長(chang)趨(qu)勢，行業整體技術(shu)壁壘深厚，產業集中度(du)高。根據Semi統計，2022年全(quan)(quan)球半導體制造(zao)材料市(shi)場(chang)規模(mo)達到 447 億美(mei)元(yuan)，按照 2022 年全(quan)(quan)球晶圓(yuan)制造(zao)材料統計表明(ming)，掩(yan)模(mo)版(ban)的市(shi)場(chang)占(zhan)(zhan)比在 13%，按占(zhan)(zhan)比測(ce)算得出(chu)，2022 年全(quan)(quan)球光掩(yan)模(mo)版(ban)市(shi)場(chang)規模(mo)大約為 58.11 億美(mei)元(yuan)。

平板顯示掩膜版是生產 AMOLED/LTPS 及高分辨率TFT-LCD 顯示屏的關鍵材料。根(gen)據 Omdia 數據，中國大陸掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)需求(qiu)占全(quan)球比重(zhong)，從 2017 年(nian)(nian)(nian)(nian)的 32%上升到(dao) 2022 年(nian)(nian)(nian)(nian)的 57%，預計(ji)(ji) 2025 年(nian)(nian)(nian)(nian)將(jiang)增長(chang)至(zhi) 60%。2016 年(nian)(nian)(nian)(nian)至(zhi) 2019 年(nian)(nian)(nian)(nian)全(quan)球平(ping)(ping)板(ban)(ban)顯(xian)示(shi)(shi)掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)的市(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)增長(chang)較(jiao)為(wei)迅速，2019 年(nian)(nian)(nian)(nian)全(quan)球平(ping)(ping)板(ban)(ban)顯(xian)示(shi)(shi)掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)的市(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)約(yue)(yue)為(wei) 1,010 億(yi)日(ri)(ri)元(yuan)，2016 年(nian)(nian)(nian)(nian)全(quan)球平(ping)(ping)板(ban)(ban)顯(xian)示(shi)(shi)掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)的市(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)約(yue)(yue)為(wei) 671 億(yi)日(ri)(ri)元(yuan)，2016年(nian)(nian)(nian)(nian)至(zhi)2019年(nian)(nian)(nian)(nian)的年(nian)(nian)(nian)(nian)均復(fu)合增長(chang)率達(da)14.58%。受新冠(guan)疫情影響，2020年(nian)(nian)(nian)(nian)平(ping)(ping)板(ban)(ban)顯(xian)示(shi)(shi)掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)市(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)約(yue)(yue)為(wei) 903 億(yi)日(ri)(ri)元(yuan)，較(jiao) 2019 年(nian)(nian)(nian)(nian)下降(jiang) 10.57%，但平(ping)(ping)板(ban)(ban)顯(xian)示(shi)(shi)掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)市(shi)場(chang)(chang)自 2021 年(nian)(nian)(nian)(nian)起逐(zhu)漸實現復(fu)蘇，2022年(nian)(nian)(nian)(nian)市(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)預計(ji)(ji)將(jiang)增長(chang)至(zhi) 1.026億(yi)日(ri)(ri)元(yuan)。依據以上數據進行測(ce)算，2022年(nian)(nian)(nian)(nian)我(wo)國平(ping)(ping)板(ban)(ban)顯(xian)示(shi)(shi)掩(yan)(yan)膜(mo)版(ban)市(shi)場(chang)(chang)規(gui)約(yue)(yue)為(wei)585億(yi)日(ri)(ri)元(yuan)。

2.2 競爭格局:壟斷與追趕并存

光掩膜版廠可以分為晶圓廠自行配套的工廠和獨立第三方掩膜生產商兩大類。由(you)于芯片(pian)制(zhi)(zhi)造設計各家晶圓制(zhi)(zhi)造廠(chang)的(de)(de)(de)技術機密(mi)，因此晶圓制(zhi)(zhi)造廠(chang)往往自(zi)主研發45nm 以(yi)下先(xian)進制(zhi)(zhi)程的(de)(de)(de)掩(yan)膜(mo)版(ban)，而對于 45nm 以(yi)上成熟制(zhi)(zhi)程的(de)(de)(de)掩(yan)膜(mo)版(ban)則(ze)交給第(di)三方(fang)掩(yan)膜(mo)廠(chang)進行(xing)研發。據(ju) SEMI的(de)(de)(de)數據(ju)統計，2019年全(quan)球芯片(pian)掩(yan)膜(mo)版(ban)市(shi)場中(zhong)(zhong)，65%的(de)(de)(de)市(shi)場份(fen)額(e)由(you)晶圓廠(chang)自(zi)行(xing)配套的(de)(de)(de)掩(yan)膜(mo)版(ban)工廠(chang)占據(ju)，剩余 35%的(de)(de)(de)份(fen)額(e)則(ze)被(bei)獨立第(di)三方(fang)掩(yan)膜(mo)工廠(chang)瓜分，前五大廠(chang)商分別為 TOPPAN、福尼克斯、DNP、中(zhong)(zhong)國臺(tai)灣(wan)光(guang)罩和(he)(he) HOYA。其中(zhong)(zhong)，全(quan)球核心的(de)(de)(de)第(di)三方(fang)半導體光(guang)掩(yan)模產(chan)能(neng)主要(yao)集中(zhong)(zhong)在美國和(he)(he)日(ri)本(ben)，美國的(de)(de)(de) Photronics 占據(ju)28.60%的(de)(de)(de)市(shi)場份(fen)額(e)，日(ri)本(ben)凸版(ban)印刷(shua)Toppan和(he)(he)日(ri)本(ben)DNP公司分別占據(ju)全(quan)球 31.40%和(he)(he) 22.90%的(de)(de)(de)市(shi)場份(fen)額(e)。

目前我國(guo)掩(yan)膜(mo)版制造主要(yao)集中在少數(shu)企業和部分科研院所。平板(ban)顯示領域(yu)，國(guo)內只有少數(shu)企業能夠配套 TFT(薄膜(mo)晶體管)用掩(yan)膜(mo)板(ban)，主要(yao)針對 8.5 代以下掩(yan)膜(mo)板(ban)。